Insista em uma Placa-Mãe Ultra Durable™ para o seu novo PC
 
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O Design de Energia da CPU de Mais Alta Qualidade da Indústria
As Nossas Melhores Placas-Mãe Ultra Durable™ de Todos os Tempos
A GIGABYTE aumentou mais uma vez o padrão de qualidade e durabilidade de placas-mãe com a sua mais nova tecnologia Ultra Durable™ 5, com uma gama de componentes Capazed de alta corrente que oferecem a mais alta qualidade de entrega de energia para a CPU para desempenho de quebrar recordes, operação fria e eficiente e expectativa de vida prolongada da placa-mãe.





GIGABYTE quebra Recorde Mundia de Core i7 3770K OC à 7102MHz com a Z77X-UP7
 
IR3550 PowIRstage®
Os mais altamente classificados e mais premiados Power Stage da indústria.
• Oferece entrega de energia de até 60A, enquanto mantém temperaturas operacionais frias
• Par Perfeito: As placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ 5 usam ambos controladores IR digital PWM e ICs IR PowIRstage® ICs, para uma entrega de energia ao sistema exclusicamente tranquila.
• Aude de Eficiência Líder da Indústria de até 95%
 
 
Ótimo Design de Energia da CPU

PCB 2x Cobre
Oferecendo caminhos de energia suficiente para os componentes lidarem com cargas de energia escepcionais associadas com overclocking e removerem o calor da área crítica de entrega de energia à CPU.

Bobinas de Núcleo de Ferrite de Alta Capacidade
Classificasas com até 60A para fornecer a entrega de energia mais estável.

* As especificações dos componentes reais podem variar de acordo com o modelo.

 

 

Energia Fria, Por Dentro e Por Fora
   
As placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ 5 utilizam ICs IR3550 PowIRstage®, os quais são os mais altamente classificados 60A da indústria, com Menores Perdas, Maior Eficiência e Excelente Gerenciamento Termal.
O layout e embalagem usam conexões de cobre para todas as vias de energia ao invés de ligações de arame, reduzindo perdas devido à alta resistência de ligações de arame assim como a alta indutãncia a qual causa ringing e perdas de high AC.

Conexões de energia entre os MOSFETs usam cobre de muito baixa perda, reduzindo as perdas e ajudando a espalhar o calor.
Driver de IC MOSFET especializado by International Rectifier.
Alto lado MOSFET (Control FET) tem um carregamento de porta bem baixo. Lado baixo MOSFET (SyncFET) tem um Schottky Diode integrado para eficiência ainda maior.
A corrente tem caminhos muito curtos desde o fundo do dispositivo, através do controle FET (duty cycle ON) ou o Sync FET (Duty cycle OFF) e através do clipe de cobre. Esta é outra razão pela qual o dispositivo é tão durável e pode lidar com 60A.
Leadframe de cobre personalizado conduz o calor para longe do silício.
Design Tradicional da Zona de Enrgia da CPU

Controlador PWM
Drivers MOSFET
MOSFETs tradicionais no lado Alto e Baixo
Bobina
Capacitor
CPU
 
Zona de Energia da CPU - Perguntas e Respostas
 

O que é a Zona de Energia da CPU ?
A Zona de Energia da CPU contém vários componentes de uma placa-mãe que são responsáveis pela entrega de energia à CPU (controlador PWM, Drivers MOSFET, MOSFETs de lado alto de baixo, Bobinas, Capacitores e circuito relacionado).

O que é um MOSFET ?
Um MOSFET é um dos compoenentes mais críticos da zona de energia da CPU, pois ele é um interceptor que permite ou não a corrente elétrica fluir para a CPU. Ele é controlado pelo driver MOSFET e o controlador PWM. Ele é também o componente mais caro de todo o design de energia.

O que é um Power Stage ?
Power Stage é um único chip que inclue o driver MOSFET, 1 MOSFET Lado Alto e 2 (ou às vezes 1) MOSFETs Lado Baixo. Power Stages sçao feitos usando um processo de fabricação mais avançado, e são portanto mais eficientes.

O que é um MOSFET tradicional (também conhecido como D-Pak MOSFET...) ?
Um MOSFET tradicional é um design de MOSFET menos avançado que é utilizado por um design zona de energia da CPU tradicional onde os drivers MOSFET e MOSFETS de Lados Alto e Baixo estão cada em chips individuais (design MOSFET multi-chip). Eles são menos caros e menos eficientes que um único chip Power Stages.

 
 
 
 
Design Single Package
IR tem aproveitado a sua tecnologia de classe mundial de packaging desenvolvida para o DirectFET®, melhorando significantemente a capacidade termal e o layout do PowIRstage® sobre os outros pacotes de MCM.
 
Design Single Package *
vs.
Design Multi-Chip         
   
 
MOSFET Lado Alto
 
Driver IC
 
 
MOSFET Lado Baixo
* patente pendente
 
Outras impementações de layout de MOSFET utilizam um multi-chip, colocados lado-a-lado do MOSFET de lado alto e baixo e do driver IC tomando um estado real da placa e criando mais vazamento elétrico.
MOSFET Lado Alto
(MOSFET tradicional)
 
MOSFET Lado Baixo
(MOSFET Tradicional)
 
Driver IC
(Driver MOSFET)
   
 
 
 
 
   
Power Stage
(Também conhecido como IR3550 PowIRstage® )
MOSFET RDS(on) Mais Baixo (Design Ultra Durable™ 4)
(Também conhecido como WPAK, PowerPAK MOSFET...)
 
8 pins
(4 direita, 4 esquerda)
MOSFET Tradicional (Também conhecido como D-Pak MOSFET...)
 
3 pins
(1 direita, 2 esquerda)
 
Proporção de tamanho entre objetos é constante
 
 
 
 
Driver IC Desenvolvido pela International Rectifier
Os ICs IR3550 PowIRstage® têm um driver MOSFET especializado o qual é sintonizado perfeitamente para o par de MOSFET. Muitas empresas de Driver MOSFET utilizam drivers de outras empresas, por isso os driver não são realmente otimizados par os MOSFETs, a IR desenhou este driver para otimizar este módulo para a maior eficiência.
 
   
Foto Raio X IR3550 Power Stage    
 
Foto decapsulação IR3550 Power Stage
 
 
 
 
Super Frio, Super Eficiente, Super Performance
Alta Eficiência = Baixa Perda de Energia= Menos calor = Vida Mais Longa
 
 
Os IR3550 PowIRstage® da são mais eficientes em energia e operam em mais frios do que os MOSFETs concorrentes, resultando em vida mais longa do componente e mais espaço para ótimo desempenho de overclocking.
 
MOSFET Tradicional
IR3550 PowIRstage®
 
 
     
* Resultado de teste para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
* 4 fases IR3550 PowIRstage® com PCB 2x Cobre vs. 4 fases MOSFET tradicional à 100A load 10 mins teste de laboratório sem heatsink.
 
 
 
Os ICs IR3550 PowIRstage® têm maior eficiência em energia e são os MOSFETs mais bem classificados da indústria, capazes de oferecer até 60A de energia. Isto assegura a melhor entrega de energia para a CPU, uma operação mais estável e um desempenho ótimo de overclocking.
 
16 MOSFETs Tradicionais em Operação
4 ICs PowIRstage® em Operação
 
   
 
até
30°C
A Menos
 
 
 
 
Os ICs IR3550 PowIRstage® são tão eficientes, que mesmo com 4 ICs PowIRstage® em operação na direita estão fazendo o mesmo trabalho de 16 MOSFETs tradicionais em operação à esquerda, e a temperatura deles é ainda até 30° C mais fria do que o design de MOSFET tradicional.
 
 
* Resultado de teste para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
Configuração: Intel Core™ i7-3770K CPU, frequência padrão CPU (3.5GHz), 1.2V Vcore, configuração padrão BIOS, DDR3 1333MHz, 500W PSU, CPU water cooling sem MOSFET heatsink. Software: Microsoft Windows® 7rodando Utilitário Power Thermal à 100% loading.
 
Os ICs IR3550 PowIRstage® permanecem mais frios do que os outros designs MOSFET, permitindo que usuários façam overclock em maiores níveis de desempenho, Cada componente de energia tem uma temperatura termal operacional máxima, e uma vez alcançada, adicionando mais voltagem somente resultará em um overclock fracassado. Como os IR3550 PowIRstages® são capazes de operar em voltagens mais altas do que os deseigns tradicionais, os overclockers podem ter mais espaço para aumentar as voltagens, resultando em overclocks de potencial mais alto.
Temperaturas Mais Baixas = Overclocks
Estabilidade Overclocking MOSFET
Super aquecido
Não tem energia suficiente para overclocking
IR3550
PowIRstage®
Melhor
MOSFET RDS(on)
Mais Baixo

(Também conhecido como WPAK, PowerPak MOSFET...)
Bom
MOSFET Tradicional
(Também conhecido como D-Pak MOSFET... )
OK
 
 
 
 
Eficiência Auge de até 95%, Líder de Indústria*
 
 

ICs IR3550 PowIRstage® ICs são mais eficientes, com eficiência auge de até 95% durante uma operação normal.

Mesmo à níveis mais altos de corrente, os ICs IR3550 PowIRstage® são mais estáveis para manter perdas de energias menores. Menores perdas de energia também significa menos calor como resultado.

 
 
 
* Resultado de teste para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, 400LFM airflow, sem heat sink, 25°C temperatura ambiente, e 8-camadas PCB de 3.7" (L) x 2.6" (W).
 
Designs Típicos de MOSFET Atuais
         
 
Power Stage
(Também conhecido como IR3550 PowIRstage®)
Custo Premium
 
A Mais Alta Eficiência
A Mais Baixa Temeperatura
 
MOSFET RDS(on) Mais Baixo
(Também conhecido como WPAK, PowerPAK,
MOSFET...)
Alto Custo
 
Boa Eficiência
Baixa Temperatura
 
MOSFET Tradicional
(Também conhecido como D-Pak MOSFET...)
Baixo Custo
 
Baixa Eficiência
Alta Temperatura
 
 

 

 

Qualidade Por Dentro e Por Fora
Mesmo que vários componentes da mais alta qualidade usados nas placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ são são visíveis por fora, esteja seguro de que eles estão trabalhando duro para oferecer melhor eficiência, maior economia de energia, temperatura de sistema mais baixa, melhor desempenho de overclocking e vida mais longa do sistema. Esta é a garantia GIGABYTE Ultra Durable™.
PCB (Printed Circuit Board)
PCB 2x cobre = PCB 2 onças de cobre = peso da camada de cobre
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB é 56.7 g (2 oz)
Camada de Cobre Espessura
2x cobre 0.070mm(70 µm)
1x cobre 0.035mm(35 µm)
 
Bobina
De Núcleo de Ferrite
de Alta Capacidade
 
Capacitor Sólido
   
Power Stage
 
2x Cobre
Camada Interna
Camada de Sinal
   
Camada de Energia
   
     
Nova Fibra de Vidro
   
Camada Base
   
Camada de Sinal
   
     
     
* * Especificações dos componentes reais podem variar por modelo.
 
Os Benefícios do design de PCB 2 onças de Cobre
 
 
Temperatura MAis Baixa
Melhor Overclocking
Melhor Eficiência de Energia
Impedância 2X Menor
Menor EMI
Melhor Proteção ESD
 
O design exclusivo GIGABYTE PCB 2X Cobre oferece suficiente caminhos de energia entre os componentes para lidar com maior carga de energia do que o normal e remover o calor da zona crítica de entrega de energia à CPU. Isto é essencial para assegurar que a placa-mãe é capaz de lidar com o aumento na carga de energia que é necessário durante overclocking.
 



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