|
|
  
 
 Touch BIOS™ 
|

 فن آوری Smart Response اینتل
|

 حداکثر توان پردازنده 
|
 Ultra Durable™ 
|

 گرافیک مجتمع 
|

 ویژگی های انحصاری 

  
 

Driver MOSFET: ادغام اجزا VRM

Driver MOSFET: ادغام اجزا VRM                   

 

یک ماژول تنظیم کننده ولتاژ استاندارد (VRM) تشکیل شده از یک چوک، خازن ها MOSFET ها و Driver IC. با استفاده از MOSFET ها و driver IC بر طبق مشخصات Driver-MOSFET اینتل، مادربرد های سری 6 گیگابایت انتقال بالاتر توان و بازده بالا تر در فرکانس های بالا را تضمین می کنند، تا نیاز های پردازنده های امروزی تامین شود. در ضمن، Driver-MOSFET باعث می شود حجم مورد نیاز VRM کاهش پیدا کند تا اطراف پردازنده فضای خالی بیشتری وجود داشته باشد.
  Discrete PowerMOS x 2
Driver IC x 1
 

کاهش 50% فضا!
  Traditional MOSFET + Driver IC
  Driver MOSFET
 
 

بهره وری توان
 

مزایای Ultra Durable 3 گیگابایت با Driver MOSFET
     

Ultra Durable 3 گیگابایت با Driver MOSFET

طراحی اولیه
   
صرفه جویی در انرژی
خوب

ضعیف
   
توان از دست رفته در هنگام سوئیچینگ اجزا
پایین

بالا
   
تولید گرما
پایین

بالا
   
طول عمر
بالا

پایین
 

طراحی Ultra Durable 3 گیگابایت چیست؟

از خصوصیات اصلی مادرردهای Ultra Durable 3 گیگابایت می توان به خازن های حالت جامد ساخت ژاپن با طول عمر برابر 50000 ساعت کار، اشاره کرد. درضمن می توان به چوک های با هسته فریت که راندمان بالاتری نسبت به چوک های با هسته آهنی دارند و MOSFETهای با RDS پایین تر که مقاومت کمتری دارند و باعث کاهش مصرف انرژی و گرمای سیستم می شوند، اشاره کرد.

Ferrite Core Choke
  
 
50,000 hr.
Japanese Solid Capacitor  
Lower RDS(on)
MOSFET
  
 
2X Copper
Inner Layer
Signal Layer
  
Prepreg
    
Power Layer
    
Core
    
     
Ground Layer
Prepreg
Signal Layer
   
مزایای دو برابر مس در PCB
● خنک تر نسبت به مادربردها معمولی
● طول عمر بالاتر
● مصرف انرژی بهبود یافته
● توانایی بیشتر در اورکلاکینگ

PCB (برد مدار چاپی)
دو اونس PCB مسی = اندازه ایی از وزن مس در یک لایه مربعی (12 اینچ در 12 اینچ) مساحت PCB، برابر است با دو اونس.
 
Copper Layer Thickness
2x copper 0.070mm (70 µm)
1x copper 0.035mm (35 µm)

حرارت کمتر

توانایی اورکلاکینگ بیشتر

بهره وری بیشتر در مصرف توان

امپدانس تا دو برابر کمتر

تداخل الکترومغناطیسی کمتر

حفاظت بهتر در برابر الکتریسیته ساکن

 
   

با ما باشید در Facebook و Twitter:  

تمامی حقوق معنوی ثبت شده و موارد مرتبط با آن، شامل علامت هاي تجاري ثبت شده و مواردي كه تحت نظارت قانون كپي رايت نيستند،
 متعلق به شركت GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. بوده و هرگونه استفاده غير مجاز از آنها ممنوع است.