لا بديل عن لوحة رئيسية فائقة التحمل
 
 
|
|
 
   



تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ 5 - أفضل مكونات يمكن أن تحصل عليها لدورة إمداد المعالج بالطاقة
أفضل لوحات رئيسية فائقة التحمل من جيجابايت
لمرة أخرى تخطو جيجابايت خطوة كبيرة إلى الأمام نحو مزيد من جودة و تحمل اللوحات الرئيسية و ذلك من خلال الجيل الخامس من تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ 5 و التى تحتوى على العديد من المكونات القادرة على إمداد معالج الحاسب بأعلى مستويات الطاقة لتوفير أداء يحطم الأرقام القياسية مع الحفاظ على درجة حرارة منخفضة و عمر أطول للوحة الرئيسية.

شريحة IR3550 PowIRstage®
أعلى الشرائح قدرة على توصيل طاقة قصوى و أكثرها فوزاً بالجوائز.
• إمداد أعلى تيار كهربى يصل إلى 60A مع الحفاظ على درجة حرارة منخفضة
• توافق مثالى: تحتوى لوحات جيجابايت الرئيسية ذات تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ 5 على كل من دوائر PWM الرقمية من شركة IR و وشرائح PowIRstage® من شركة IR لتحقق أفضل إمداد للطاقة.
• أعلى كفاءة يمكن أن تحصل عليها حتى 95%
 
 
أفضل تصميم لدورة إمداد المعالج بالطاقة

طبقات النحاس مضاعفة السمك فى جسم اللوحة الرئيسية
توفر ممرات لتوصيل الطاقة بين المكونات ذات قدرة على التعامل مع مستويات الطاقة القصوى عند رفع تردد التشغيل مع قدرتها أيضاً على تبديد الحرارة بعيداً عن منطقة إمداد المعالج بالطاقة.

ملفات ذات قلب من سبيكة الفريت لإمداد طاقة قصوى
تستطيع إمداد تيار كهربى يصل إلى 60A و ذلك بشكل مستقر و آمن

* قد تختلف المواصفات الفعلية للمكونات باختلاف الموديل.
 

مكونات متميزة لطاقة قصوى و تبريد فائق
يحتوى الجيل الخامس من تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ 5 من جيجابايت على دوائر IR3550 PowIRstage® و القادرة على إمداد أعلى تيار كهربى يصل إلى 60A مع التقليل من فقد الطاقة و المزيد من كفاءة استخدامها و كذا خفض الحرارة بمعدلات كبيرة.
تصميم متميز يحتوى على وحدات نحاسية لتوصيل الطاقة بدلاً من الموصلات السلكية العادية و هو ما يعمل على التقليل من فقد الطاقة الذى تسببه مقاومة الموصلات السلكية العالية للتيار الكهربى.

وحدات نحاسية لتوصيل الطاقة بين دوائر MOSFETs مما يقلل من فقد الطاقة و يساعد على تبديد الحرارة.
وحدة MOSFET driver المتميزة من شركة International Rectifier .
تحتوى دائرة High side MOSFET (Control FET) على very low gate charge و تحتوى دائرةLow side MOSFET (SyncFET) على دائرة Schottky Diode لمزيد من كفاءة الأداء.
ممرات قصيرة للطاقة أسفل الوحدة عبر control FET (duty cycle ON) أو Sync FET (Duty cycle OFF) و كذا عبر الشريحة النحاسية و هو الأمر الذى يجعل الوحدة شديدة التحمل و يؤهلها لتوصيل تيار كهربى يصل إلى 60A .
إطار نحاسى تم تصميمه لتبديد الحرارة بعيداً عن دوائر السيليكون.
التصميم التقليدى لمنطقة إمداد المعالج بالطاقة

PWM controller
MOSFET Drivers
Traditional High and
Low side MOSFETs
Choke
Capacitor
CPU
 
أسئلة و أجوبة حول منطقة إمداد المعالج بالطاقة
 
ما هى منطقة إمداد المعالج بالطاقة ؟
تحتوى منطقة إمداد المعالج بالطاقة باللوحة الرئيسية على مكونات متعددة تقوم بإمداد معالج الحاسب بالطاقة ( دوائر PWM ، وحدات MOSFET Drivers ، دوائر MOSFETs ، ملفات ، مكثفات ، دوائر كهربية )

ما هى دائرة MOSFET ؟
دائرة MOSFET هى واحدة من أهم مكونات منطقة إمداد معالج الحاسب بالطاقة حيث تقوم بدور مفتاح التحكم الذى يسمح أو لا يسمح بمرور التيار الكهربى إلى المعالج و ذلك تبعاً لما تحدده وحدة MOSFET driver و دوائر PWM . كما تعتبر دائرة MOSFET واحدة من أعلى مكونات توصيل الطاقة تكلفة.

ما هى شريحة Power Stage ؟
شريحة Power Stage هى شريحة واحدة تحتوى على وحدة MOSFET driver و دائرة high side MOSFET و دائرتى Low Side MOSFET (فى بعض الأحيان دائرة واحدة). و لقد تم إنتاج شريحة Power Stage باستخدام عملية تصنيع أكثر تقدماً مما جعلها أكثر كفاءةً.

ما هى وحدة MOSFET التقليدية (و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET ) ؟
وحدة MOSFET التقليدية هى وحدة أقل حداثة تستخدم فى التصميم التقليدى لمنطقة إمداد المعالج بالطاقة و التى تكون فيها كل من وحدة MOSFET drivers و دوائر MOSFET منفصلة عن بعضها بشكل مستقل ( تصميم ذو شرائح MOSFET متعددة ). و هى أقل تكلفة و أقل كفاءةً من شريحة Power Stages.
 
 
 
تصميم يدعم شريحة واحدة
لقد قامت شركة IR بتطوير أحدث تقنيات دمج الشرائح DirectFET® و التى تعمل على توفير المزيد من خفض الحرارة لشريحة PowIRstage® و ذلك بالمقارنة بتصميمات MCM الأخرى.
 
تصميم الشريحة الواحدة*
vs.
بتصميم ذى شرائح متعددة
   
  دائرة High Side MOSFET
 
وحدة Driver IC
 
  دائرة Low Side MOSFET
*فى انتظار براءة الاختراع
 
تستخدم تصميمات MOSFET الأخرى العديد من الشرائح التى تصطف فيها دوائر MOSFET و وحدات driver IC جنباً إلى جنب مما يشغل حيزاً كبيراً من مساحة اللوحة الرئيسية فضلاً عن فقد الطاقة.
دائرة High Side MOSFET (وحدة MOSFET التقليدية)
 
دائرة Low Side MOSFET (وحدة MOSFET التقليدية)
 
وحدة Driver IC (وحدة MOSFET Driver)
   
 
 
 
 
 
تبريد فائق ,   كفاءة عالية ,  أداء غير مسبوق
كفاءة عالية = فقد أقل للطاقة = حرارة أقل = عمر أطول
 
 
تتميز شريحة IR3550 PowIRstage من شركة IR بكفاءتها العالية فى استخدام الطاقة و قدرتها على خفض الحرارة بالمقارنة بوحدات MOSFET الأخرى و هو الأمر الذى يحقق عمر أطول لمكونات الحاسب و يتيح مجالاً أكثر اتساعاً لمزيد من رفع تردد التشغيل.
 
دوائر MOSFET التقليدية
عينة المقارنة
دوائر MOSFET منخفضة المقاومة
حرارة أقل حتى 40 درجة
شريحة IR3550 PowIRstage®
حرارة أقل حتى 60 درجة
مقبول
جيد
الأفضل
 
* نتائج الاختبار للاطلاع فقط. قد تختلف النتائج باختلاف مواصفات الحاسب المستخدم
*الانخفاض فى درجة الحرارة حتى 60 درجة فى بيئة عمل: 4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink
 
 
تتميز شريحة PowIRstage® بقدرتها على الاحتفاظ بدرجة حرارة أقل بالمقارنة بتصميمات MOSFET التقليدية مما يتيح للمستخدم رفع تردد التشغيل للحصول على مزيد من قوة الأداء. إن كل وحدة من وحدات توصيل الطاقة تعمل فى حدود درجة حرارة قصوى و التى عند بلوغها لن يمكنك تحميلها بالمزيد من الطاقة و بالتالى فشل عملية رفع التردد. و حيث أن شريحة PowIRstage® تتميز بقدرتها على الاحتفاظ بدرجة حرارة أقل عند تحميل مستويات عالية من الطاقة، فإن محترفى رفع تردد التشغيل قد أصبح بإمكانهم إضافة المزيد من الجهد الكهربى و الاستمتاع بمجال أوسع لرفع تردد التشغيل.
درجة حرارة أقل = مزيد من رفع تردد التشغيل
درجة ثبات الأداء عند رفع تردد التشغيل باستخدام MOSFET
حرارة شديدة الارتفاع
طاقة غير كافية لرفع تردد التشغيل
شريحة PowIRstage® الأفضل
دائرة MOSFET منخفضة المقاومة
(و تعرف أيضاً باسم WPAK, PowerPak MOSFET...)
جيد
دائرة MOSFET التقليدية
(و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET... )
مقبول
 

مكونات قادرة على إمداد مستويات أعلى للتيار الكهربى

يحتوى الجيل الخامس من تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ 5 من جيجابايت على شرائح PowIRstage® و ملفات ذات قلب من سبيكة الفريت و القادرة على إمداد أعلى تيار كهربى يصل إلى 60A و كذلك طبقات النحاس مضاعفة السمك فى جسم اللوحة الرئيسية و ذلك من أجل ضمان أفضل استقرار لإمداد الطاقة.
 
شرائح Power Stages القادرة على
إمداد تيار كهربى يصل إلى 60A
 
ملفات ذات قلب من سبيكة الفريت و القادرة على إمداد تيار كهربى يصل إلى 60A
 
طبقات النحاس مضاعفة السمك
فى جسم اللوحة الرئيسية
 
  * قد تختلف مواصفات المكونات الفعلية باختلاف الموديل



جودة فائقة فى كل جزء من اللوحة الرئيسية

برغم أنه لا يمكنك من الخارج رؤية العديد من المكونات ذات الجودة العالية المستخدمة فى لوحات جيجابايت الرئيسية ذات تقنية التحمل الفائق إلا أنه عليك أن تثق فى أن هذه المكونات تعمل بكامل قوتها لتحقق لك أعلى كفاءة لاستخدام الطاقة و أفضل توفير لها و كذا الحفاظ على أقل درجة حرارة مع إتاحة أوسع مجال ممكن لرفع تردد التشغيل و ضمان أطول عمر افتراضى لحاسبك. هذا هو ما تضمنه لك تقنية التحمل الفائق Ultra Durable™ من جيجابايت.

لوحة الدوائر الالكترونية
كمية مضاعفة من النحاس = أونصتين من النحاس في تركيب اللوحة الرئيسية = وزن النحاس الموجود في طبقة واحدة 30.48 cm x 30.48 cm (مساحة قدم مربع) هي 56.7 جرام (أونصتين).

طبقات النحاس
السمك
طبقات مضاعفة
0.070mm (70 µm)
طبقة مفردة
0.035mm (35 µm)
ملف ذو قلب من سبيكة الفريت قادر على إمداد طاقة قصوى
 
مكثف صلب
   
شريحة Power Stage
 
طبقة نحاس داخلية
مضاعفة السمك
طبقة نقل الإشارات
   
طبقة توصيل الطاقة
   
     
ألياف زجاجية جديدة
   
طبقة أرضية
   
طبقة نقل الإشارات
   
     
     
فوائد طبقات النحاس مضاعفة السمك فى جسم اللوحة الرئيسية
درجة حرارة أقل
قدرة أكبر لرفع تردد التشغيل
كفاءة أعلى لاستخدام
الطاقة
مقاومة أقل للتيار الكهربى بمقدار النصف
تداخل أقل للإشارات الالكترونية
حماية أفضل من الكهرباء الاستاتيكية
 
تعمل طبقات النحاس مضاعفة السمك فى جسم اللوحة الرئيسية على توفير ممرات لتوصيل الطاقة بين المكونات ذات قدرة على التعامل مع مستويات الطاقة القصوى عند رفع تردد التشغيل مع قدرتها أيضاً على تبديد الحرارة بعيداً عن منطقة إمداد المعالج بالطاقة.



  لمزيد من المعلومات عن الجيل الخامس من تقنية التحمل الفائق Ultra Durable 5 برجاء زيارة: http://arabic.gigabyte.com/MicroSite/312/ud5.html




الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق – لا بديل عن لوحة رئيسية فائقة التحمل

  تصميم باستخدام دوائر منخفضة المقاومة المكونات عالية الجودة تصنع لوحة رئيسية عالية الجودة
  الجانب الخلفى للوحة الرئيسية الجانب الأمامى للوحة الرئيسية
 
دوائر رقمية بالكامل لتوصيل طاقة وحدات الذاكرة و الذاكرة المدمجة بالمعالج
دوائر رقمية بالكامل لتوصيل طاقة معالج الحاسب و معالج الجرافيك المدمج
 


 
تصميم متميز لتبريد فائق
لوحات جيجابايت الرئيسية فائقة التحمل
منذ منتصف عام 2011 لم تعد جميع لوحات جيجابايت الرئيسية تستخدم دوائر D-Pak MOSFETs لتوصيل طاقة معالج الحاسب
 
دوائر MOSFET التقليدية
مقارنة
دوائر MOSFET منخفضة المقاومة
حرارة أقل حتى 40°
 
 
 
 
حرارة عالية
حرارة منخفضة
 
 
 
 
* نتائج الاختبار للاطلاع فقط. قد تختلف النتائج باختلاف مواصفات الحاسب المستخدم.
* انخفاض درجة الحرارة حتى 60 درجة فلا بيئة عمل :
using 4 phase Lower RDS(on) MOSFET with 2x Copper PCB vs. 4 phase Traditional MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink.
 
دوائر MOSFET منخفضة المقاومة
(و تعرف أيضاً باسم WPAK, PowerPak MOSFET...)
تكلفة أعلى
 
كفاءة عالية
حرارة منخفضة
دوائر MOSFET التقليدية
(و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET... )
تكلفة منخفضة
 
كفاءة منخفضة
حرارة عالية
 
   
دوائر MOSFET منخفضة المقاومة
(و تعرف أيضاً باسم WPAK, PowerPak MOSFET...)
  8 سنون
(4 يميناً، 4 يساراً)
دوائر MOSFET التقليدية (و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET...)
  3 سنون
(1 يميناً، 2 يساراً)
  Size ratio between objects is constant
 
درجة حرارة أقل = إمكانات أعلى لرفع تردد التشغيل
 
حرارة مرتفعة
 
عدم توافر الطاقة الكافية لرفع تردد التشغيل
 



طبقات النحاس مضاعفة السمك

تصميم الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت يتميز بكمية مضاعفة من مادة النحاس التى تدخل في تركيب اللوحة الرئيسية في طبقات الأرضي وطبقات توصيل الطاقة. وهو ما يؤدي إلى خفض كبير لدرجة حرارة الحاسب من خلال طرد الحرارة بكفاءة أكبر بعيداً عن المناطق الحيوية في اللوحة الرئيسية مثل دوائر توصيل طاقة المعالج. بالإضافة إلى ذلك يعمل الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت على خفض المقاومة للتيار الكهربي عند مروره في اللوحة الرئيسية بنسبة 50% و هو ما يقلل من فقد الطاقة و يخفض درجة حرارة المكونات. كما أن زيادة كمية النحاس المستخدمة يعمل على تحسين نقل الاشارات الالكترونية مع التقليل من تداخل الإشارات EMI (Electromagnetic Interference)، وهو ما يوفّر استقراراً أكبر للحاسب ويسمح بامكانيات أكبر لرفع تردد التشغيل.


الملفات الكهربية المصنعة من سبيكة الفِرَّيت
 
مكثفات صلبة يابانية الصنع مضمونة حتى 50,000 ساعة عمل
الدوائر الإلكترونية    
منخفضة المقاومة     
   
   
طبقة نحاس
مضاعفة السمك
طبقة توصيل الاشارة
     
طبقة للتدعيم
     
طبقة توصيل الطاقة
     
     
     
طبقة القلب
     
     
     
طبقة الأرضي
     
طبقة للتدعيم
     
طبقة توصيل الطاقة
     
لوحة الدوائر الالكترونية
كمية مضاعفة من النحاس = أونصتين من النحاس في تركيب اللوحة الرئيسية = وزن النحاس الموجود في طبقة واحدة 30.48 cm x 30.48 cm (مساحة قدم مربع) هي 56.7 جرام (أونصتين).

طبقات النحاس
السمك
طبقات مضاعفة
0.070mm (70 µm)
طبقة مفردة
0.035mm (35 µm)
مزايا استخدام طبقات النحاس مضاعفة السمك
• أكثر برودة من اللوحات الرئيسية التقليدية
• عمر افتراضي أطول
• كفاءة أكبر في استخدام الطاقة
• امكانات هائلة لرفع تردد التشغيل
 
   
درجة حرارة أقل قدرة أكبر لرفع تردد التشغيل كفاءة أعلى لاستخدام الطاقة
مقاومة أقل للتيار الكهربى بمقدار النصف
تداخل أقل للإشارات الالكترونية
حماية أفضل من تفريغ الشحنات الالكتروستاتيكية





حماية من الرطوبة   
تقنية تصنيع جسم اللوحات الرئيسية من مواد زجاجية
تعتمد الآن على مادة زجاجية جديدة تعمل على تقليل المساحات البينية بين الألياف، وهو ما يجعلها أكثر قدرة على مقاومة الرطوبة التي لا تتمكن من اختراق هذه المسافات البينية الضيقة. عند المقارنة بالمادة التقليدية، والتي كانت المسافات البينية بين أليافها أكبر، فإن المادة الجديدة توفر قدراً أكبر من الحماية للحاسب ضد الرطوبة
الجديد
المادة الزجاجية الجديدة
المادة الزجاجية التقليدية
التقليدي





حماية من الكهرباء الاستاتيكية   
دوائر مدمجة ذات قدرة أكبر على مقاومة شحنات الكهرباء الاستاتيكية
كل اللوحات الرئيسية من سلسلة الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت تعتمد على استخدام دوائر مدمجة ذات قدرة أكبر على مقاومة تفريغ شحنات الكهرباء الاستاتيكية مقارنة بالدوائر المدمجة التقليدية. هذه السلسلة من اللوحات الرئيسية تعتمد على دوائر مدمجة ذات قدرة أكبر بثلاث مرات على مقاومة تفريغ شحنات الكهرباء الاستاتيكية مقارنة بالدوائر المدمجة التقليدية، وهو ما يعني حماية مطلقة للّوحة الرئيسية وكل المكونات التي يتم تركيبها عليها ضد أي أخطار محتملة قد تنتج عن الكهرباء الاستاتيكية
دوائر مدمجة ذات قدرة أكبر على مقاومة شحنات الكهرباء الاستاتيكية
دوائر مدمجة ذات قدرة عادية على مقاومة شحنات الكهرباء الاستاتيكية






حماية من انقطاع التيار الكهربي    
وحدة التشغيل الرئيسية المزدوجة، دوائر مدمجة مقاومة لارتفاع مستوى التيار
إذا واجهت انقطاعاً مفاجئاً للتيار الكهربي لأي سبب، فإن سلسلة لوحات الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت تم تصميمها بما يضمن ألا يؤدي ذلك الانقطاع إلى مشاكل خطيرة لحاسبك. كل اللوحات الرئيسية من هذه السلسلة مزودة بالتقنية المبتكرة وحدة التشغيل الرئيسية المزدوجة DualBIOS وهو ما يعني حماية أكيدة ضد أعطال وحدة التشغيل الرئيسية. تقوم هذه التقنية المبتكرة باستعادة إعدادات وحدة التشغيل الرئيسية من النسخة الاحتياطية، إذا ما أصيبت الوحدة الأساسية بأي عطل.
استعادة إعدادات BIOS
 
سلسلة لوحات الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت تتميز أيضاً بوجود دوائر مدمجة قادرة على مواجهة الارتفاع الغير متوقع لمستوى التيار الكهربي، والذي يمكن أن يحدث في أي وقت، وتوفر هذه الدوائر المدمجة حماية فائقة للّوحة الرئيسية والحاسب ضد المشاكل والأعطال التي قد تنتج عن مثل هذه الارتفاعات الغير متوقعة
 
دوائر مدمجة مقاومة
لارتفاع مستوى التيار
بدون دوائر مدمجة مقاومة لارتفاع مستوى التيار
* الدوائر المدمجة المقاومة لارتفاع مستوى التيار قد تختلف باختلاف الموديل





حماية من الحرارة العالية    
مكثفات صلبة بالكامل، دوائر منخفضة المقاومة
سلسلة لوحات الجيل الرابع من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت تنفرد باستخدام مكونات مختارة تجعل حاسبك الشخصي قادراً على مواجهة درجات الحرارة العالية في أقصى ظروف التشغيل، دون أن يتعرض للمشاكل التي تنتج عن ارتفاع درجة الحرارة. استخدام المكثفات الصلبة في هذه السلسلة من اللوحات الرئيسية يضمن خفض درجة الحرارة الكلية للّوحة الرئيسية و في نفس الوقت يحافظ على كفاءة التشغيل. كما أن استخدام الدوائر منخفضة المقاومة يعد عاملاً حاسماً لمواجهة ارتفاع درجة حرارة اللوحة الرئيسية أثناء التشغيل مقارنة بالدوائر الكهربية التقليدية. هذا المزيج الفريد بين أكثر المكونات جودة وملائمة لظروف التشغيل القاسية، يجعل هذه السلسلة من اللوحات الرئيسية مثالية لضمان عمر افتراضي أطول وثبات أكبر للأداء
 
مقارنة بين المكثفات
تصميم باستخدام المكثفات الصلبة بالكامل
تصميم باستخدام المكثفات التقليدية
 
 
مقارنة بين الدوائر الكهربية
 
تصميم باستخدام الدوائر الكهربية منخفضة المقاومة
 
تصميم باستخدام الدوائر الكهربية التقليدية
* التصميم باستخدام الدوائر الكهربية منخفضة المقاومة قد يختلف باختلاف الموديل


 
 



 

شارك هذا الموقع عبر فيس بوك وتويتر :  
كل حقوق الملكية الفكرية, متضمنة على سبيل المثال لا الحصر حقوق الطبع والنشر والعلامة التجارية لهذا العمل وكل الأعمال المشتقة منه هي ملك أو مرخصة لشركة
GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. أي استخدام غير مصرح به ممنوع قطعيًا.