أفضل مكونات يمكن أن تحصل عليها لدورة إمداد المعالج بالطاقة
تستخدم لوحات جيجابايت الرئيسية G1-Killer شرائح PowIRstage™ المتميزة من شركة International Recifier® و هى شرائح رقمية 100% مما يتيح دقة فائقة فى إمداد الطاقة لمكونات اللوحة الرئيسة الأكثر احتياجاً للطاقة و الأكثر حساسية لها و ذلك من أجل توفير أقصى أداء للجيل القادم من معالجات Core™ من إنتل.
 
تصميم متكامل من شركة
International Rectifier (IR®)
 
شرائح PowIRstage™ من شركة IR®
   
 
موصلات PWM رقمية من شركة IR®
   
 
   موصلات PWM رقمية بالكامل من شركة IR®
All Digital Power
   
 المعالج                       وحدات الذاكرة   
Memory              




طاقة رقمية بالكامل
لقد قامت شركة IR بتطوير أحدث تقنيات دمج الشرائح DirectFET® و التى تعمل على توفير المزيد من خفض الحرارة لشريحة PowIRstage® و ذلك بالمقارنة بتصميمات MCM الأخرى.
 
          تصميم يدعم شريحة واحدة*                 بالمقارنة                   تصميم ذى شرائح متعددة
 
دائرة High Side MOSFET
   
وحدة Driver
IC
    
 
دائرة Low Side MOSFET
تستخدم تصميمات MOSFET الأخرى العديد من الشرائح التى تصطف فيها دوائر MOSFET و وحدات driver IC جنباً إلى جنب مما يشغل حيزاً كبيراً من مساحة اللوحة الرئيسية فضلاً عن فقد الطاقة.
دائرة High Side MOSFET
(وحدة MOSFET التقليدية)
 
دائرة Low Side MOSFET
(وحدة MOSFET التقليدية)
 
وحدة Driver IC
(وحدة MOSFET Driver)
 
قد يختلف تصميم موصلات PWM الرقمية و شرائح PowIRstage® باختلاف الموديل
  
 
شريحة Power Stage
(و تعرف أيضاً باسم IR3550 PowIRstage® )
دائرة Lower RDS(on) MOSFET منخفضة المقاومة
(و تعرف أيضاً باسم WPAK, PowerPAK MOSFET...)
   
8 سنون
(4 يميناً, 4 يساراً)
وحدة MOSFET التقليدية (و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET...)
   
3 سنون
(1 يمينا, 2 يساراً)
 
Size ratio between objects is constant      




تبريد فائق، كفاءة عالية، أداء غير مسبوق
 
دوائر MOSFET التقليدية
شريحة IR3550 PowIRstage®
 
* نتائج الاختبار للاطلاع فقط. قد تختلف النتائج باختلاف مواصفات الحاسب المستخدم..
* 4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase traditional MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink
 
درجة حرارة أقل = مزيد من رفع تردد التشغيل
حرارة شديدة الارتفاع
طاقة غير كافية
لرفع تردد التشغيل
تتميز شريحة IR3550 PowIRstage® بقدرتها على الاحتفاظ بدرجة حرارة أقل بالمقارنة بتصميمات MOSFET التقليدية مما يتيح للمستخدم رفع تردد التشغيل للحصول على مزيد من قوة الأداء. إن كل وحدة من وحدات توصيل الطاقة تعمل فى حدود درجة حرارة قصوى و التى عند بلوغها لن يمكنك تحميلها بالمزيد من الطاقة و بالتالى فشل عملية رفع التردد. و حيث أن شريحة IR3550 PowIRstages® تتميز بقدرتها على الاحتفاظ بدرجة حرارة أقل عند تحميل مستويات عالية من الطاقة، فإن محترفى رفع تردد التشغيل قد أصبح بإمكانهم إضافة المزيد من الجهد الكهربى و الاستمتاع بمجال أوسع لرفع تردد التشغيل.
درجة ثبات الأداء عند رفع تردد التشغيل باستخدام MOSFET
 
شريحة IR3550
PowIRstage®
الأفضل
 
دائرة MOSFET منخفضة المقاومة
(و تعرف أيضاً باسم WPAK, Power Pak MOSFET...)
جيد
 
دائرة MOSFET التقليدية
(و تعرف أيضاً باسم D-Pak MOSFET... )
مقبول
 

قد تختلف الخصائص و مواصفات المكونات الفعلية باختلاف الموديل
المواصفات و الصور عرضة للتغيير بدون إشعار سابق
الصور للاطلاع فقط

 
شارك هذه الصفحة عبر فيس بوك و تويتر :  
كل حقوق الملكية الفكرية, متضمنة على سبيل المثال لا الحصر حقوق الطبع والنشر والعلامة التجارية لهذا العمل وكل الأعمال المشتقة منه هي ملك أو مرخصة لشركة
GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD و أي استخدام غير مصرح به ممنوع قطعياً.
GIGABYTE