Insista em uma Placa-Mãe Ultra Durable™ para o seu novo PC
  
 
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PowIRstage
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Energia Fresca, Por Dentro e Por Fora
   
As placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ 5 usam ICs IR3550 PowIRstage®, os quais têm a mais alta avaliação 60A, com Perdas Mias Baixas, Maior Eficiência e Excelente Gerenciamento Termal.
O layout e embalagem usam conexões de cobre para todas os caminhos de energia ao invés de ligações de fio, reduzindo as perdas devido à alta resistência de ligações de fio assim como a alta indutância que causa eco e alta perda de AC.

Conexões de enrgia entra os MOSFETs utilizam cobre de baixa perda, reduzem perdas e ajudam a espalhar o calor.
IC driver MOSFET Especializado by International Rectifier.
O MOSFET lado alto (Controle FET) tem um carregamento de portão bem baixo. O MOSFET lado baixo (SyncFET) tem um Schottky Diode integrado para uma eficiência ainda maior.
A corrente tem caminhos muito curtos desde o fundo do dispositivo, através do controle FET (duty cycle ON) ou do Sync FET (Duty cycle OFF) e através do clip de cobre. Esta é uma outra razão pela qual o dispositivo é durável e pode aguentar 60A.
Leadframe de cobre personalizado conduz o calor para longe do silício.
Design Tradicional da Área de Energia da CPU

Controlador PWM
Drivers MOSFET
MOSFETs de Lado Alto e Baixo Tradicionais
Bobina
Capacitor
CPU
 
Perguntas e Respostas Área de Enrgia da CPU
 

O que é a Área de Energia da CPU?
A Área de Energia da CPU contpem vários componentes de uma placa-mãe que são responsáveis pela entrega de energia para a CPU (controlador PWM, drivers MOSFET, MOSFETs de lado alto e baixo, Bobinas, Capacitors e circuito relacionado).

O que é um MOSFET ?
Um MOSFET é um dos componentes mais cr´ticos da área de energia da CPU, pois ele é interruptor que primeiro permite ou não permite o fluxo de corrente elétrica para a CPU. Ele é controlado pelo driver MOSFET e controlador PWM. Ele tamém é um dos componentes mais caros do design de energia.

O que é um Power Stage ?
Um Power Stage é um único chip que inclue o driver MOSFET, 1 MOSFET de lado alto e 2 (ou às vezes apenas 1) MOSFETs de lado baixo. Power Stages sçao feitos usando um processo de fabricação mais avançado, e são portanto mais eficientes.

O que é um MOSFET Tradicional (também conhecido como D-Pak MOSFET...) ?
Um MOSFET tradiconal é um design de MORFET menos avançado que é utilizado é uma área de energia da CPU tradicional onde os drivers de MOSFET e MOSFETS de Lado Alto e Baixo estão em chips individuais cada (design de multi-chip MOSFET). Eles são mais baratos e menos eficientes que os Power Stages de chip único.

 
 
 
Design de Pacote Único
IRtem conseguido a tecnologia de nível mundial desenvolvida para o DirectFET®, melhorando significantemente a capacidade térmica e o layout do PowIRstage® sobre os pacotes de outros MCM.
 
Design de Pacote Único*
 vs.
Design de Multi-Chip
   
  MOSFET Lado alto
 
Driver IC
 
  MOSFET Lado baixo
*patente pendente
 
Outras implementações de layout de MOSFET usam uma arrumação de multi-chip, lado-a-lado dos MOSFETs de lado alto e baixo e driver IC, elevando significantemente o estado real da placa e criando mais vazamento elétrico.
MOSFET lado alto
(MOSFET Tradicional)
 
MOSFET lado baixo
(MOSFET Tradicional)
 
Driver IC
(Driver MOSFET)
   
Power Stage
(Também conhecido comoIR3550
PowIRstage® )
MOSFET Mais Baixo RDS(on)
(Também cohecido como WPAK, PowerPAK MOSFET...)
 
MOSFET Tradicional (Também conhecido como D-Pak MOSFET...)
 
Proporção de tamanho entre obejtos é constante.
  
 
 
 
Driver IC Devenvolvido by International Rectifier
Os ICs IR3550 PowIRstage® têm um IC MOSFET driver IC especializado o qual é ligado perfeitamente para o par de MOSFET. Muitas empresas de Driver MOSFET usam drivers de outras empresas, no entendo os drivers não são realmente otimizados para MOSFETs. Com pacotes Driver+MOSFETs, IR desenhou este driver para otimizar este módulo para a maior eficiência.
 
   
Imagem de raio X IR3550 Power Stage  
  
Imagem de descapsulação IR3550 Power Stage
 
 
 
 
 
Super Fresco, Ultra Eficiente, Ultra Desempenho
Alta Eficiência = Baixa Perda de Energia = Menos Calor = Maior Longevidade
 
 
Os IR3550 PowIRstage® da IR são mais eficientes e operam em menor temperatura do que os MOSFETs concorrentes, resultando em uma longevidade de componente mais longa e mais espaço para cabeçar para melhor desempenho de oeverclocking.
 
MOSFET Tradicional
Amostra de Comparação
MOSFET RDS(on) Mais Baixo
até 40°C Mais Baixo
IR3550 PowIRstage®
até 60°C Mais Baixo
OK
Bom
Melhor
* Resultado de testes para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
* Até 60° C temperatura mais baixa obtida usando 4 fases IR3550 PowIRstage® com PCB 2x Cobre vs. 4 fases D-Pak MOSFET @ 100A carregando 10 mins teste de laboratório sem heatsink
 
 
 
Os ICs IR3550 PowIRstage® têm maior eficiência de energia e são os mais altamente classifidados MOSFETs da indústria, capazes de oferecer até 60A de energia. ISto assegura a melhor opção de entrega de energia para a CPU, para uma operação mais estável e melhor desempenho de overclocking.
 
16 MOSFETs Tradicionais em Operação
4 ICs PowIRstage® ICs em Operação
  
   
 
up to
30°C
Lower
 
 
 
 
ICs IR3550 PowIRstage® são tão eficiente que mesmo com os ICs PowIRstage® em operação à direita estão fazendo o mesmo trabalho dos 16 MOSFETs tradicionais em operação à esquerda, a sua temperatura é de até 30° C mais baixa do que o design de MOSFET tradicional.
 
 
* Resultado de testes para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
Configuração: CPU Intel Core™ i7-3770K, Frequência padrão de CPU (3.5GHz), 1.2V Vcore, Configuração padrão de BIOS, DDR3 1333MHz, 500W PSU, water cooling de CPU sem heatsink de MOSFET. Software: Microsoft Windows® 7 rodandoUtilitário Térmico de Energia à 100%.
 
 
 
Os ICs IR3550 PowIRstage® permanecem mais frescos do que outros designs de MOSFET, permitindo usuários fazer overclock para melhores níveis de desempenho. Cada componente de energia tem uma temperatura operacional máxima, e uma vez alcançada, adicionando mais voltagem irá somente resultar em um overclock com falhas. Já que os IR3550 PowIRstages® são capazes de operarem temperaturas mais baixas à maiores voltagens do que os designs tradicionais, os overclockers são capazes de ter mais espaço para aumentar voltagens, resultando em overclocks de maior potencial.
Temperaturas Mais Baixas = Maiores Overclocks
Estabilidade de Overclocking MOSFET
Superaquecimento
Sem energia suficiente para overclocking
IR3550
PowIRstage®		 Melhor
MOSFET RDS(on) Mais Baixo
(Também conhecido como WPAK, PowerPak MOSFET...)		 Bom
MOSFET Tradicional
(Também conhecido como D-Pak MOSFET... )		 OK
 
 
 
 
Líder da Indústria em Pico de Eficiência de até 95%
 
 

Os ICs IR3550 PowIRstage® são mais eficientes, com pico de eficiência de até 95%, durante operação normal.

Mesmo em altos níveis de corrente, os ICs IR3550 PowIRstage® são capazes de manter perdas de energia menores. Menor perda de energia também significa menos calor como resultado.

 
 
 
* Resultado de testes para referência apenas. Resultados podem variar de acordo com a configuração do sistema.
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, 400LFM airflow,sem heat sink, 25°C temperature ambiente, e 8-camadas PCB de 3.7" (L) x 2.6" (W).
 
Designs de Corrente Típica de MOSFET
         
  Power Stage
(Também conhecido como IR3550 PowIRstage®)
Custo Prêmio
  
Maior Eficiência
Menor Temperatura
  MOSFET Menor RDS(on)
(Também conhecido como WPAK, PowerPAK,
MOSFET...)
Alto Custo
  
Boa Eficiência
Baixa Temperatura
  MOSFET Tradicional
(Também conhecido como D-Pak MOSFET...)
Baixo Custo
  
Baixa Eficiência
Alta Temperatura
 
 
 
 
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