Bestehen Sie auf einem Ultra Durable™-Mainboard für Ihren neuen PC
 
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Ultra Durable™ 5 – Das qualitativ hochwertigste CPU/APU-Power-Design der Industrie
Unsere bisher besten Ultra Durable™-Mainboards
GIGABYTE stellt mit ihrer neuesten Ultra Durable™-5-Technologie zum wiederholten Male höhere Qualitätsstandards hinsichtlich Mainboard-Qualität und -Lebensdauer auf. Die Technologie umfasst hochstromfeste Komponenten, welche die qualitativ hochwertigste CPU/APU-Spannungszufuhr bieten und somit eine rekordverdächtige Leistung, einen kühlen und effizienten Betrieb sowie eine längere Mainboard-Lebensdauer ermöglichen.

IR3550 PowIRstage®
Leistungsstärkste und am häufigsten ausgezeichnete Leistungsstufe der Industrie.
• Bietet eine Spannungsversorgung bis zu 60 A bei konstant niedrigen Betriebstemperaturen.
• Perfekte Abstimmung: GIGABYTE Ultra Durable™-5-Mainboards verwenden sowohl digitale IR-PWM-Controller
  als auch IR-PowIRstage®-ICs, um eine unerreicht nahtlose Spannungszufuhr sicherzustellen.
• Branchenweit führende Spitzeneffizienz von bis zu 95 %
 
 
Optimales CPU/APU-Power-Design

2x-Kupfer-PCB
Bietet ausreichende Stromleitungswege zwischen den Komponenten, um die Handhabung der mit dem Übertakten verbundenen, außergewöhnlich hohen Stromlasten zu ermöglichen und Wärme aus den kritischen Spannungszufuhrbereichen der CPU/APU abzuleiten.

Ferritkernspulen mit hoher Kapazität
Nennleistung bis zu 60 A für eine stabile Spannungszufuhr.

* Tatsächliche Komponentenspezifikationen können sich je nach Modell unterscheiden.
 

Kühle Leistung – sowohl innen als auch außen
Die GIGABYTE Ultra Durable™-5-Mainboards verwenden IR3550-PowIRstage®-ICs, die mit 60 A die branchenweit höchste Nennleistung bieten und geringere Verluste, höhere Effizienz sowie ein hervorragendes Wärmemanagement ermöglichen.
Für die Stromversorgungspfade im Layout und Gehäuse wurden Kupferverbindungen statt Drahtverbindungen verwendet, wodurch die Verluste, die durch den hohen Widerstand der Drahtverbindungen entstehen, sowie die hohe Induktivität, die zu unkontrolliertem Schwingen und hohen Wechselstromverlusten führt, verringert werden.

Für die Stromanschlüsse zwischen den MOSFETs wird extrem verlustarmes Kupfer verwendet, was die Verluste verringert und die Ableitung der Wärme unterstützt.
Spezielle MOSFET-Treiber-IC von International Rectifier.
High-Side-MOSFET (Steuerungs-FET) verfügt über sehr geringe Gate-Ladung. Low-Side-MOSFET (SyncFET) verfügt über eine integrierte Schottky-Diode für eine zusätzlich gesteigerte Effizienz.
Der Strom muss nur sehr kurze Wege von der Unterseite der Einheit zurücklegen und verläuft entweder durch den Steuerungs-FET (Arbeitszyklus EIN) oder den Sync-FET (Arbeitszyklus AUS) und den Kupfer-Clip. Dies ist ein weiterer Grund, warum die Einheit so robust ist und bis zu 60 A handhaben kann.
Maßgefertigte Kupfer-Leiterrahmen halten die Wärme vom Silizium fern.
Traditionelles Design des CPU/APU-Stromversorgungsbereichs

PWM-Controller
MOSFET-Treiber
Traditionelle High- und
Low-Side-MOSFETs
Spule
Kondensator
CPU/APU
 
Fragen und Antworten zum CPU/APU-Stromversorgungsbereich
 
Was ist der CPU/APU-Stromversorgungsbereich?
Der CPU/APU-Stromversorgungsbereich enthält die verschiedenen Komponenten eines Mainboards, die für die Stromversorgung der CPU/APU verantwortlich sind (PWM-Controller, MOSFET-Treiber, High- und Low-Side-MOSFETs, Spulen, Kondensatoren und dazugehörige Schaltungstechnik).

Was ist ein MOSFET?
Ein MOSFET ist eine der wichtigsten Komponenten des CPU/APU-Stromversorgungsbereichs, da es sich bei ihm um einen Schalter handelt, der den Stromfluss zur CPU/APU ermöglicht oder blockiert. Seine Schaltung wird durch den MOSFET-Treiber und den PWM-Controller gesteuert. Er ist zudem auch eine der teuersten Komponenten des Power-Designs.

Was ist eine Leistungsstufe?
Eine Leistungsstufe ist ein einzelner Chip, der den MOSFET-Treiber, 1 High-Side-MOSFET und 2 (oder manchmal 1) Low-Side-MOSFETs enthält. Leistungsstufen werden mithilfe eines fortschrittlicheren Herstellungsverfahrens produziert und sind daher effizienter.

Was ist ein traditioneller MOSFET (auch bekannt als D-Pak-MOSFET ...)?
Bei einem traditionellen MOSFET handelt es sich um ein weniger fortschrittliches MOSFET-Design, das in traditionellen CPU/APU-Stromversorgungsbereichen verwendet wird, in denen die MOSFET-Treiber und die High- und Low-Side-MOSFETS aus jeweils individuellen Chips bestehen (Multi-Chip-MOSFET-Design). Sie sind nicht so teuer wie aus einem einzelnen Chip bestehende Leistungsstufen, aber auch weniger effizient.
 
 
 
Einzelgehäuse-Design
IR hat seine weltweit führende und für die DirectFET® entwickelte Gehäusetechnologie wirksam eingesetzt, um die thermischen Eigenschaften und das Layout der PowIRstage® im Vergleich zu anderen MCM-Gehäusen erheblich zu verbessern.
 
Einzelgehäuse-Design*
vs.
Multi-Chip-Design
   
 
High-Side-MOSFET
 
Treiber-IC
 
 
Low-Side-MOSFET
*Patent angemeldet
 
Andere MOSFET-Layout-Implementierungen verwenden eine nebeneinander liegende Multi-Chip-Anordnung der High- und Low-Side-MOSFETs und der Treiber-IC, was viel Platz auf dem Mainboard in Anspruch nimmt und eine höhere elektrische Streuung verursacht.
High-Side-MOSFET
(Traditioneller MOSFET)
 
Low-Side-MOSFET
(Traditioneller MOSFET)
 
Treiber-IC
(MOSFET-Treiber)
   
 
 
 
 
 
Extrem kühl,  extrem effizient,  extreme Leistung
Hohe Effizienz = geringer Stromverlust = weniger Wärme = längere Lebensdauer
 
 
IRs IR3550-PowIRstage®-ICs sind energieeffizienter und arbeiten bei niedrigeren Betriebstemperaturen als vergleichbare MOSFETs, was eine längere Lebensdauer der Komponenten sicherstellt und mehr Spielraum für bessere Übertaktungsleistungen lässt.
 
Traditioneller MOSFET
 
Niedrig-RDS(on)-MOSFET
 
Ultra Durable™-4-Design
IR3550 PowIRstage®
 
Ultra Durable™-5-Design
 
* Das Testergebnis dient nur zu Referenzzwecken. Ergebnisse können sich je nach Systemkonfiguration unterscheiden.
* 4-phasige IR3550-PowIRstage®-ICs mit 2x-Kupfer-PCB gegenüber einem traditionellen D-Pak-MOSFET bei einer Last von 100 A und im Rahmen eines zehnminütigen Labortests ohne Kühlkörper.
 
 
IR3550-PowIRstage®-ICs bleiben kühler als andere MOSFET-Designs, was es den Benutzern ermöglicht, durch Übertaktung noch höhere Leistungen zu erzielen. Jede Komponente der Stromversorgung hat eine maximal zulässige Betriebstemperatur, und sobald diese erreicht ist, führt eine höhere Spannungszufuhr lediglich zu einer fehlgeschlagenen Übertaktung. Da IR3550-PowIRstages® auch bei höheren Spannungen niedrigere Betriebstemperaturen als traditionelle Designs aufweisen, steht Übertaktern ein größerer Spielraum für höhere Spannungen und somit ein höheres Übertaktungspotenzial zur Verfügung.
Niedrigere Temp. = höhere Übertaktungen
MOSFET-Übertaktungsstabilität
Überhitzung
Nicht genügend Energie
für Übertaktung
IR3550
PowIRstage®
Top
Niedrig-RDS(on)-
MOSFET

(auch bekannt als WPAK, PowerPak MOSFET ...)
Gut
Traditioneller MOSFET
(auch bekannt als D-Pak-MOSFET ...)
OK
 

Hochstromfeste Komponenten

Die GIGABYTE Ultra Durable™-5-Mainboards verfügen über Leistungsstufen mit hoher Kapazität und sind mit Ferritkernen für bis zu 60 A sowie den exklusiven 2x-Kupfer-PCBs von GIGABYTE ausgestattet, um eine stabile Spannungszufuhr sicherzustellen.
60A-Ferritkernspulen
mit hoher Kapazität
Branchenführende 60A-
Leistungsstufe mit geringeren Verlusten,
höherer Effizienz und einem hervorragenden
Wärmemanagement
2x-Kupfer-PCB



Qualität – sowohl innen als auch außen

Auch wenn einige der qualitativ hochwertigen, für die GIGABYTE Ultra Durable™-Mainboards verwendeten Komponenten nicht von außen zu sehen sind, können Sie sicher sein, dass sie sehr viel leisten, um Ihnen eine bessere Effizienz, höhere Energieeinsparungen, niedrigere Systemtemperaturen, eine bessere Übertaktungsleistung sowie eine längere Systemlebensdauer zu bieten. Das ist die GIGABYTE Ultra Durable™-Garantie.
PCB (Printed Circuit Board, Leiterplatte)
2x-Kupfer-PCB = 2-Unzen-Kupfer-PCB = Gewicht der Kupferschicht
30,48 cm x 30,48 cm (1 Quadratfuß) PCB wiegt 56,7 g (2 Unzen)

Kupferschicht
Dicke
2x Kupfer
0,070 mm (70 µm)
1x Kupfer
0,035 mm (35 µm)
Ferritkernspule
mit hoher Kapazität
 
Polymerkondensator
   
Leistungsstufe
 
2x Kupfer
Innere Schicht
Signalschicht
   
Stromschicht
   
     
Neue Glasfaserschicht
   
Grundschicht
   
Signalschicht
   
     
     
Die Vorteile des 2-Unzen-Kupfer-PCB-Designs
 
Geringere
Temperatur
Bessere
Übertaktung
Bessere
Energieeffizienz
2x geringere
Impedanz
Geringere EMI
Besserer ESD-
Schutz
 
Das exklusive 2x-Kupfer-PCB-Design von GIGABYTE bietet ausreichende Stromleitungswege zwischen den Komponenten, um die Handhabung höherer Stromlasten zu ermöglichen und Wärme aus den kritischen Spannungszufuhrbereichen der CPU/APU abzuleiten. Dies ist von großer Bedeutung, um sicherzustellen, dass das Mainboard in der Lage ist, die für das Übertakten erforderlichen höheren Stromlasten zu handhaben.




Ultra Durable™ 4 Classic
GIGABYTE Ultra Durable™-4-Classic-Mainboards nutzen eine Vielzahl exklusiver Technologien, die den Kunden den absolut besten Schutz für ihre PCs bieten. Die integrierten Funktionen schützen vor alltäglichen Bedrohungen, die jeden PC treffen können.

 

Schutz vor Feuchtigkeit
Neues Glasfaser-PCB
Für die auf Glasfaser basierende PCB-Technologie wird ein neues PCB-Material verwendet, das die Abstände zwischen dem Fasergewebe reduziert. Durch das neue Glasgewebe kann Feuchtigkeit nicht so leicht in das Mainboard eindringen – anders als bei traditionellen Mainboard-PCBs. Dies sorgt für einen besseren Schutz vor Kurzschlüssen und Systemfehlern durch Luftfeuchtigkeit und Dampf.
NEU
Neues Glasfaser-PCB
Traditionelles Glasfaser-PCB
 
Traditionell



Elektrostatischer Schutz
ICs mit hohem ESD-Widerstand
Alle GIGABYTE Ultra Durable™-4-Classic Mainboards nutzen qualitativ hochwertige IC-Mikrochips, die gegenüber traditionellen ICs mit einem größeren Spielraum bei elektrostatischer Entladung (ESD) ausgestattet sind. GIGABYTE Ultra Durable™-4-Classic-Mainboards nutzen ICs mit einem bis zu dreifach größeren ESD-Spielraum. Das sorgt für einen besseren Schutz der Mainboards, der Komponenten und des PCs im Allgemeinen vor Beschädigungen durch statische Entladung – einer alltäglichen Bedrohung für heutige PCs.
ICs mit hohem ESD-Widerstand
Traditionelle ICs mit normalem ESD-Widerstand




Schutz vor Spannungsschwankungen
DualBIOS™, Überspannungsschutz-IC
Wenn es zu einem plötzlichen Stromausfall kommt, stellen die GIGABYTE Ultra Durable™-4-Classic-Mainboards sicher, dass keine schwerwiegende Beschädigung eintritt. Alle GIGABYTE Ultra Durable-4-Classic-Mainboards nutzen die patentierte DualBIOS™-Technologie, die das BIOS auf Ihrem Mainboard vor Beschädigungen schützt. Das BIOS des Mainboards wird mithilfe eines Backups automatisch wiederhergestellt, sollte es zu einem kritischen Stromausfall kommen.
BIOS-Wiederherstellung
 
GIGABYTE Ultra Durable-4-Classic-Mainboards verfügen zudem über ICs mit einem speziellem Überspannungsschutz, der das Mainboard und den PC vor Spannungsschwankungen schützt und sicherstellt, dass der PC mit jeder irregulären und inkonstanten Spannungsversorgung umgehen kann.
 
Überspannungsschutz-IC
Ohne Überspannungsschutz-IC
    * Überspannungsschutz-ICs können sich je nach Modell unterscheiden.



Schutz vor hohen Temperaturen
Reine Polymerkondensatoren, Niedrig-RDS(on)-MOSFETs
Speziell ausgewählte Komponenten ermöglichen es dem PC, mit höheren Temperaturen unter extremeren Bedingungen umzugehen, während der PC gleichzeitig vor Überhitzung geschützt wird. Der Einsatz von reinen Polymerkondensatoren bei den GIGABYTE Ultra Durable-4-Classic-Mainboards reduziert die Temperatur des Mainboards und sorgt gleichzeitig für einen stabilen Mainboard-Betrieb bei hohen Temperaturen. Der Einsatz von Niedrig-RDS(on)-MOSFETs sorgt ebenfalls für eine deutliche Senkung der Betriebstemperatur gegenüber traditionellen MOSFET-Lösungen.
 
Kondensatorenvergleich
Komplettes Polymerkondensatoren-Design
Traditionelles Kondensatoren-Design
 
 
MOSFET-Vergleich
 
Niedrig-RDS(on)-MOSFET-Design
 
Traditionelles MOSFET-Design
    * Das Niedrig-RDS(on)-MOSFET-Design kann sich je nach Modell unterscheiden.




  
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