Alegeţi o placă de bază Ultra Durable™ pentru noul vostru PC
 
 Prima pagină   |   Descriere   |   Ultra Durable™ 5   |   Caracteristici unice   |   SPEC   |   Download 

 

 

Design de alimentare CPU de cea mai înaltă calitate din industrie
Cele mai bune plăci de bază Ultra Durable™ ale momentului
GIGABYTE ridică din nou ștacheta calității și durabilității plăcilor de bază cu cea mai nouă tehnologie Ultra Durable™ 5, ce include componente capabile de curenți mari pentru zona de alimentare a CPU pentru obținerea de performanțe capabile să doboare recorduri, pentru o funcționare rece și eficientă și pentru o durată de viață extinsă a plăcii de bază.





GIGABYTE doboară recordul mondial pentru Core i7 3770K OC cu 7102MHz pe viitoarea Z77X-UP7
 
IR3550 PowIRstage®
Cele mai înalt cotate și premiate Power Stage din industrie.
• Livrează curent până la 60A, menținând temperaturi joase de lucru.
• Perechea perfectă: plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc controllere IR digital PWM și circuite integrate IR PowIRstage®, pentru o livrare unică și uniformă a energiei în sistem.
• Eficiență de vârf de până la 95%, cea mai bună din industrie
 
 
Design alimentare CPU optim
PCB cu 2X cupru
Oferă trasee de alimentare suficiente între componente pentru a putea suporta energii mai mari decât cele normale asociate cu overclocking-ul și pentru a disipa căldura din zona critică de alimentare a CPU.


Bobine cu miez de ferită de capacitate mare
Cotate până la 60A pentru cea mai stabilă livrare de energie.

* Specificațiile actuale ale componentelor pot varia în funcție de model.

 

 

Putere rece, înăuntru și afară
   
Plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc circuite integrate IR3550 PowIRstage®, cotate cu cel mai mare curent din industrie - 60A, cu pierderi mai mici, eficiență mai mare și un excelent management termic.
Schema și ambalarea folosesc conexiuni din cupru pentru toate căile de alimentare față de legături prin fire, reducând astfel pierderile cauzate de rezistența mare a legăturilor prin fire cât și inductanța mare ce cauzează sunete și pierderi mari de AC.

Conexiunile de alimentare dintre MOSFETi folosesc cupru cu foarte mici pierderi, reducând pierderile și ajutând la disiparea căldurii.
MOSFET driver IC specializat de la International Rectifier.
High side MOSFET (Control FET) cu încarcare foarte mica pe poartă. Low side MOSFET (SyncFET) are o diodă Schottky integrată pentru eficiență și mai mare.
Curentul are trasee foarte scurte din partea de jos a echipamentului, fie prin control FET (duty cycle ON) sau prin Sync FET (Duty cycle OFF) și prin clema de cupru. Un alt motiv pentru care echipamentul este atât de durabil și poate rezista la 60A.
Carcasă personalizată din cupru conduce căldura departe de siliciu.
Design tradițional al zonei de alimentare

Controller PWM
MOSFET Drivers
MOSFETi tradiționali High și
Low side
Bobină
Condensator
CPU
 
Întrebări și răspunsuri despre zona de alimentare CPU
 
Ce reprezintă zona de alimentare CPU ?
Zona de alimentare CPU contine componente variate ale unei plăci de bază ce sunt responsabile cu livrarea energiei către CPU (controller PWM, MOSFET Drivers, MOSFETi High și Low side, bobine, condesnatori și circuitele aferente).

Ce este un MOSFET ?
Un MOSFET este una dintre cele mai critice componente din zona de alimentare CPU, fiind un comutator ce mai întâi permite sau nu trecerea curentului electric către CPU. Comutarea sa este controlată de un MOSFET driver și de controller-ul PWM. Este de asemenea una dintre cele mai scumpe componente din zona de alimentare.

Ce este un Power Stage ?
Un Power Stage este un cip singular ce include MOSFET driver, 1 high side MOSFET și 2 (uneori 1) Low Side MOSFETi . Power Stage sunt realizați folosind un proces de fabricație mult mai avansat, și de aceea sunt mai eficienți.

Ce este un MOSFET tradițional (cunoscut și ca D-Pak MOSFET...) ?
Un MOSFET traditional este un MOSFET cu un design mai putin avansat ce este folosit într-o zonă de alimentare CPU traditională, unde MOSFET drivers și High și Low Side MOSFET sunt fiecare câte un cip individual (design multi-cip MOSFET). Sunt mai puțin costisitori și mai putin eficienți ca Power Stage.
 
 
 
 
Design Single Package
IR a folosit tehnologia de construcție de clasă mondială dezvoltată pentru DirectFET®, îmbunătățind semnificativ capabilitățile termice și aspectul PowIRstage® față de cele de tip MCM.
 
Design Single Package *
vs.
Design Multi-Chip          
   
 
High Side MOSFET
 
Driver IC
 
 
Low Side MOSFET
* în curs de patentare
 
Alte implementări de design cu MOSFET folosesc un aranjament multi-cip, alăturat al high și low side MOSFET și al driver IC, ocupând mai mult spațiu pe placă și permițând mai multe scurgeri electrice.
High Side MOSFET
(MOSFET tradițional)
 
Low Side MOSFET
(MOSFET tradițional)
 
Driver IC
(MOSFET Driver)
   
 
 
 
 
   
Power Stage
(Cunoscut și ca IR3550 PowIRstage® )
Lower RDS(on) MOSFET (Ultra Durable™ 4 Design)
(Cunsocut si ca WPAK, PowerPAK MOSFET...)
 
8 pini
(4 dreapta, 4 stânga)
MOSFET tradițional (Cunoscut și ca D-Pak MOSFET...)
 
3 pini
(1 dreapta, 2 stânga)
 
Raportul mărimii obiectelor este constant
 
 
 
 
Driver IC dezvoltat de International Rectifier
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® conțin un MOSFET driver IC specializat setat perfect pentru perechea de MOSFET. Multe companii producătoare de Driver MOSFET folosesc driver de la alte companii, astfel încât driver-ul nu este întotdeauna optimizat pentru MOSFET. Prin încapsularea împreună a Driver+MOSFET, IR a proiectat acest driver pentru a optimiza acest modul pentru o mai mare eficiență.
 
   
Imagine cu raze X a IR3550 Power Stage    
 
Imagine cu IR3550 Power Stage decapsulat   
 
 
 
 
Ultra Rece, Ultra Eficient, Ultra Performanță
Eficiență crescută = Pierderi mici de putere = Căldură mai puțină = Durată mai lungă de viață
 
 
IR's IR3550 PowIRstage®sunt mai eficiente și operează mai rece decât MOSFET-ii competitorilor, rezultând o durată mai mare de viață a componentelor și mai mult spațiu pentru performanțe mai mari de overclocking.
 
MOSFET tradițional
IR3550 PowIRstage®
 
 
     
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot diferi în funcție de configurația sistemului.
* IR3550 PowIRstage® cu 4 faze cu PCB cu 2x Cupru vs. D-Pak MOSFET cu 4 faze @ încărcare de 100A testate 10 minute în laborator fără radiator.
 
 
 
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® au o eficiență energetică mai mare și sunt MOSFET-ii cotați cu cel mai mare curent posibil în industrie, de până la 60A. Astfel se asigură cea mai bună livrare de energie către CPU, pentru operare mai stabilă și performanțe mai bune de overclocking.
 
16 MOSFETi tradiționali în lucru
4 circuite integrate PowIRstage® în lucru
 
   
 
up to
30°C
Lower
 
 
 
 
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® sunt atât de eficiente încât chiar dacă cele 4 integrate PowIRstage® în lucru din dreapta au același grad de încărcare ca cele 16 MOSFET-uri tradiționale în lucru din stânga, temperatura de lucru este totuși cu până la 30° C mai joasă față de design-ul tradițional cu MOSFET.
 
 
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot diferi în funcție de configurația sistemului.
Configurație: Intel Core™ i7-3770K CPU, frecvența CPU default (3.5GHz), 1.2V Vcore, setări BIOS default, DDR3 1333MHz, sursă 500W, răcire CPU cu apă fără radiator pe MOSFET. Software: Microsoft Windows® 7 cu utilitarul Power Thermal la încărcare de 100%.
 
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® rămân mai reci față de alte design-uri MOSFET, permițând utilizatorilor să overclockeze la nivele mai mari de performanță. Fiecare componentă de putere are o temperatură maximă de lucru care, atunci când este atinsă și se crește tensiunea, va avea ca rezultat un overclock nereușit. Cum IR3550 PowIRstages® sunt capabile să lucreze la temperaturi mai mici și la tensiuni mai mari față de un design tradițional, overclockerii pot crește mai mult tensiunea rezultând overclock-uri mai mari.
Temperaturi mai joase = Overclock mai bun
Stabilitate MOSFET la Overclocking
Supraîncălzire
Putere insuficientă
pentru overclocking
IR3550
PowIRstage®
Cel mai bun
Lower RDS(on)
MOSFET

(Cunoscut și ca WPAK, PowerPak MOSFET...)
Bun
MOSFET tradițional
(Cunoscut și ca D-Pak MOSFET... )
OK
 
 
 
 
Eficiență de vârf de până la 95% - cea mai bună din industrie*
 
 

Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® sunt mai eficiente, cu eficiență de vârf de până la 95%, în timpul operării normale.

Chiar și la nivele mai mari de curent, integratele IR3550 PowIRstage® sunt capabile să mențină pierderi mici de putere, ceea ce înseamnă și mai puțină căldură generată.

 
 
 
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot varia în funcție de configurația sistemului.
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, curent de aer 400LFM, fără radiator, temperatura ambientală 25°C și PCB cu 8 straturi de 3.7” (L) x 2.6” (W).
 
Design-uri tipice actuale cu MOSFET
         
 
Power Stage
(Cunoscut și ca IR3550 PowIRstage®)
Cost premium
 
Cea mai mare eficiență
Cea mai mică temperatură
 
Lower RDS(on) MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPAK,
MOSFET...)
Cost mare
 
Eficiență bună
Temperatură joasă
 
MOSFET tradițional
(Cunoscut și ca D-Pak MOSFET...)
Cost redus
 
Eficiență scăzută
Temperatură mare
 
 

 

 

Calitate înăuntru și afară
Chiar dacă unele dintre componentele de calitate folosite pe plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ nu sunt vizibile de afară, fiți siguri că ele lucrează din greu pentru a oferi o mai bună eficiență, economie mai mare de energie, temperaturi mai mici în sistem, performanțe mai bune la overclocking și longevitate crescută a sistemului. Aceasta reprezintă garanția GIGABYTE Ultra Durable™.
PCB (Printed Circuit Board)
PCB cu 2x cupru (PCB 2 oz cupru) = masa stratului de cupru
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB = 56.7 g (2 oz)
Strat de cupru
Grosime
2x cupru 0.070mm(70 µm)
1x cupru 0.035mm(35 µm)
 
Bobină cu
miez de ferită
de mare capacitate
 
Condensator solid 
   
Power Stage
 
2x Cupru 
strat interior 
Strat de semnal
   
Strat de alimentare
   
     
New Glass Fabric
   
Strat de masă
   
Strat de semnal
   
     
     
* Specificațiile actuale ale componentelor pot varia în funcție de model
 
Beneficiile PCB cu 2x Cupru
 
 
Temperaturi
scăzute
Overclocking
mai bun
Eficienţă
energetică mare
Impedanţă de
2x mai mică
Interferenţe EMIscăzute
Protecţie ESD
mărită
 
Design-ul exclusiv GIGABYTE cu PCB cu 2x Cupru oferă trasee de alimentare suficiente între componente pentru a putea suporta energii mai mari decât cele normale și pentru a disipa căldura din zona critică de alimentare a CPU. Acestea sunt esențiale pentru a se asigura că placa de bază este capabilă să gestioneze creșterile de putere atunci când este necesar la overclocking.
 



Răspândeşte pagina prin Facebook şi Twitter:  
Toate drepturile de autor, inclusiv drepturile de copiere şi drepturile de marcă din acest site şi al lucrărilor derivate din acest site, sunt proprietatea, şi sunt
licențiate către, GIGA-BYTE Technology Co. LTD. Orice uz neautorizat este strict interzis.