|
|
|
Ultra Durable™ 5 - Thiết kế nguồn APU/CPU chất lượng cao nhất ngành |
Các bo mạch chủ Ultra Durable™ tốt nhất của chúng tôi
GIGABYTE một lần nữa đã nâng mức xếp hạng “chất lượng và độ bền” bo mạch chủ với công nghệ Ultra Durable 5. Công nghệ bao gồm các linh kiện chịu dòng cao dành cho khu vực nguồn CPU để phá vỡ hiệu năng kỷ lục, hoạt động hiệu quả và mát mẻ, giúp kéo dài tuổi thọ bo mạch chủ.
IR3550 PowIRstage®
Có tần công suất được đánh giá và xếp hạng cao nhất ngành.
• Dòng ra lên đến 60A, nhưng vẫn duy trì được nhiệt độ mát mẻ.
• Kết hợp hoàn hảo: Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 sử dụng 2 bộ điều
khiển PWM kỹ thuật số IR và IC PowIRstage®, giúp hệ thống cấp nguồn được xuyên suốt.
• Hiệu quả thực tế lên đến 95% dẫn đầu ngành công nghiệp.
|
|
| |
Thiế kế nguồn CPU/APU tối ưu |
|
|
PCB bằng đồng dầy 2x
Cung cấp đủ đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý quá trình tải ngoại lệ khi thực hiện ép xung và triệt tiêu sức nóng khỏi các khu vực nguồn CPU nhạy cảm.
Cuộn dây lõi Ferrit chịu dòng cao
Lên đến 60A để cung cấp nguồn điện ổn định nhất.
* Đặc tính kỹ thuật thực tế của linh kiện có thể khác tùy theo từng model.
|
| |
Cực mát, từ trong ra ngoài |
 |
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable 5 sử dụng ICIR3550 PowIRstage®, có khả năng cấp dòng đến 60A cao nhất ngành, thất thoát điện năng thấp, duy trì nhiệt độ xuất sắc và hiệu quả cao hơn.
|
|
 |
Bố trí và đóng gói sử dụng các điểm nối bằng đồng cho tất cả các đường dẫn nguồn hơn là nối ghép dây, làm giảm thất thoát do nối ghép dây trở kháng và tự cảm cao gây ra hiện tượng thất thất điện năng cao.
|
Đường dẫn tín hiệu giữa các MOSFET sử dụng đồng nguyên chất dầy, giảm thất thoát và giúp lan tỏa sức nóng nhanh chóng. |
IC điều khiển MOSFET chuyên dụng từ International Rectifier. |
High side MOSFET (FET điều khiển) có cổng nạp rất thấp. Low side MOSFET (SyncFET) tích hợp diode Schottky để tăng hiệu quả cao hơn. |
Dòng điện chỉ mất 1 đoạn đường rất ngắn từ phía dưới thiết bị, để đi đến FET điều khiển (duty cycle ON) hoặc SyncFET (Duty cycle OFF) và qua kẹp đồng. Đây là lý do thiết bị rất bền và có thể chịu đến 60A. |
Khung chì bằng đồng tùy biến dẫn nhiệt ra khỏi silicon. |
|
|
Thiết kế khu vực nguồn CPU/APU truyền thống |
Bộ điều khiển PWM |
Trình điều khiển MOSFET |
MOSFET truyền thống
|
Cuộn dây |
Tụ điện |
CPU/APU |
|
| |
Giải đáp thắc mắc về khu vực nguồn CPU/APU
|
| |
Khu vực nguồn CPU là gì?
Khu vực nguồn CPU của bo mạch chủ chứa nhiều linh kiện khác nhau, chịu trách nhiệm cấp phát nguồn điện đến CPU/APU (PWM controller, MOSFET Drivers, High và Low side MOSFET, cuộn dây, tụ điện và mạch liên quan).
MOSFET là gi?
MOSFET là 1 trong những linh kiện quan trọng nhất của khu vực CPU/APU, nó đóng vai trò như là 1 công tắc cho phép hoặc ngăn dòng điện vào CPU/APU. Chế độ bật/tắt do driver và controller MOSFET điều khiển. Nó cũng là 1 trong những linh kiện đắt tiền nhất trong thiết kế nguồn.
Power Stage là gì ?
Power Stage là một chon chip đơn bao gồm trình điều khiển MOSFET, 1 high side MOSFET và 2 (thỉnh thoảng 1) low side MOSFET. Power Stages được sản xuất bằng các sử dụng quá trình xử lý cao cấp, và do đó hiệu quả hơn.
MOSFET truyền thống là gì (như D-Pak MOSFET)?
MOSFET truyền thống có thiết kế ít cao cấp được sử dụng trong các khu vực nguồn CPU/APU thông thường, nơi các trình điều khiển MOSFET và high và low side MOSFET là các chip đơn lẻ (thiết kế MMC).Chúng không quá đắt và kém hiệu quả hơn chip Power Stage đơn. |
|
|
| |
| |
| |
|
IR sử dụng công nghệ đóng gói hàng đầu thế giới do DirectFET® phát triển, công nghệ này giúp cải thiện khả năng chịu nhiệt và mặt ngoài của PowIRstage® một cách đáng kể so vói đóng gói MCM. |
| |
Thiết kế đóng gói đơn* |
và |
Thiết kế MMC |
|
| |
IC khiển |
| |
|
* Đang chờ cấp bản quyền |
|
|
|
Sự triển khai các lớp MOSFET khác sử dụng multi-chip, sắp xếp các high và low side MOSFET và trình điểu khiển IC cạnh nhau, chiếm dụng nhiều khoảng trống và dễ tạo ra rò điện. |
 |
High Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
| |
Low Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
| |
IC khiển
(MOSFET Driver) |
|
| |
|
|
| |
|
|
| |
| |
| |
| |
Siêu mát, Siêu hiệu quả, Siêu hiệu năng |
Hệu quả cao = Thất thoát điện năng thấp = Ít nóng = Tuổi thọ được kéo dài |
| |
| |
IR's IR3550 PowIRstage® có hiệu quả nguồn điện hơn và mát hơn so với MOSFET đối thủ, dẫn đến kéo dài tuổi thọ và nhiều khoảng không hơn dành cho hiệu năng ép xung tốt hơn.
|
| |
|
|
MOSFET trở kháng thấp |
| |
Thiết kế Ultra Durable™ 4 |
|
IR3550 PowIRstage® |
| |
Thiế kế Ultra Durable™ 5 |
|
|
| |
* Kết quả test chỉ để tham khảo, kết quả có thể khác tùy theo cấu hình hệ thống.
* Nhiệt độ thấp hơn đến 60 độ. Kết quả nhận được khi sử dụng 4 phase IC IR3550 PowIRstage®, lớp PCB đồng 2x và 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A tải trong 10” ở phòng thí nghiệm không có heatsink.
|
| |
| |
Các IC IR3550 PowIRstage® vẫn mát hơn thiết kế MOSFET khác, cho phép người sử dụng ép xung hệ thống đến mức hiệu năng cao hơn. Mỗi linh kiện nguồn đều có ngưỡng nhiệt độ hoạt động, và một khi nó đã đạt mức giới hạn, việc cấp thêm nguồn sẽ gây ra kết quả hỏng hóc. Bởi vì IC IR3550 PowIRstage® có thể hoạt động ở nhiệt độ mát hơn với mức điện thế cao hơn thiết kế truyền thống, các tay ép xung có thể có nhiều "mức giới hạn" hơn để tăng điện áp, dẫn đến kết quả ép xung cao hơn.
|
Nhiệt độ mát hơn = Ép xung cao hơn |
MOSFET ổn định khi ép xung |
|
Quá nóng |
Không đủ nguồn
để ép xung |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
Tốt nhất |
|
 |
Lower RDS(on)
MOSFET
(Also known as WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Tốt |
|
 |
MOSFET truyền thống
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
Bình thường |
|
|
|
| |
Các Linh Kiện Có Khả Năng Chịu Dòng Cao |
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 được trang bị tần công suất dung lượng cao và cuộn dây lõi Ferrit lên đến 60A với lớp PCB đồng dầy 2x độc quyền của GIGABYTE giúp cấp phát nguồn ổn định hơn. |
Chất lượng từ trong ra ngoài |
Thậm chí một vài linh kiện chất lượng cao sử dụng trong bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable 5 không thể thấy từ bên ngoài, bao gồm các IC IR3550 PowIRstage hiệu quả cao từ IR và lớp PCB bằng đồng 2x bên trong, các linh kiện còn lại vẫn đảm bảo chúng sẽ hoạt động “vất vả” để cung cấp hiệu quả tốt hơn, tiết kiệm năng lượng nhiều hơn, nhiệt độ hệ thống thấp hơn, hiệu năng ép xung tốt hơn và tuổi thọ hệ thống kéo dài hơn. Đó là lời đảm bảo của GIGABYTE Ultra Durable. |
 |
PCB (Printed Circuit Board)
PCB đồng 2x = PCB đồng 2 oz = Trọng lượng của lớp đồng
30.48 cm x 30.48 cm (1 foot vuông) PCB là 56.7 g (2 oz)
|
Lớp đồng |
Độ dầy |
2x copper |
0.070mm (70 µm) |
1x copper |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Cuôn dây
Lõi Ferrite
chất lượng cao |
|
Tụ điện rắn |
| |
|
Power Stage |
|
Lớp PCB bằng đồng
dầy 2x |
Lớp tín hiệu |
|
|
Lớp nguồn |
|
|
| |
|
|
Sợi thủy tinh mới |
|
|
Lớp đất |
|
|
Signal Layer |
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
Lợi ích của thiết kế lớp PCB đồng dầy 2 oz
|
|
| |
Nhiệt độ
thấp hơn |
Ép xung
tốt hơn |
Hiệu quả
nguồn điện hơn |
Trở kháng
thấp hơn 2x |
EMI thấp hơn |
Bảo vệ chống
ESD tốt hơn |
|
| |
Thiết kế lớp PCB bằng đồng nguyên chất dầy 2x độc quyền của GIGABYTE cung cấp đủ các đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý tốt hơn so với thông thường và triệt tiêu nhiệt khỏi khu vực cấp nguồn CPU. Điều này đảm bảo bo mạch có thể giải quyết việc tăng tải cần thiết khi thực hiện ép xung.
|
|
|
|
Ultra Durable™ 4 Classic
Bo Mạch Chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic bao gồm các công nghệ độc quyền nhằm đảm bảo những khách hàng của chúng tôi có được sự bảo vệ chắc chắc cho máy tính của họ, với những tính năng được tích hợp nhằm ngăn ngừa những hỏng hóc thông thường mà người sử dụng gặp phải hàng ngày. |
 |
Bảo vệ tránh thời tiết ẩm |
 |
Lớp PCB sợi thủy tinh mới |
Độ ẩm có thể gây ra hư hại nặng nề cho mạch điện của bo mạch chủ. Lớp PCB sợi thủy tinh mới của GIGABYTE giúp tránh khỏi tình trạng “ngắn mạch” do độ ẩm gây ra, bằng cách giảm các khoảng trống giữa các sợi PCB. |
|
 |
 |
|
 |
Lớp PCB sợi thủy tinh mới |
Lớp PCB thông thường |
| |
|
|
 |
|
