Thiết kế nguồn CPU chất lượng cao nhất ngành |
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable 5 Plus sử dụng bộ điều khiển nguồn và các IC PowIRstage™ hàng đầu thế giới do International Recifier phát triển. Những thành phần này sử dụng 100% tín hiệu kỹ thuật số, giúp cấp phát nguồn chính xác cho bộ xử lý Intel® thế hệ 4 của bạn. Được thiết kế lại hoàn toàn mới, các bộ điều khiển và IC nguồn PowlRstage tối ưu và mát mẻ cho các hoạt động, cho phép người dùng nhận được hiệu năng tối đa cho bộ máy tính tiếp theo của mình. |
| |
Các Giải Pháp
Do International Rectifier (IR®) Phát Triển |
 |
|
| |
IC IR® PowIRstage® |
| |
|
| |
Bộ điều khiển IR® Digital PWM |
| |
|
|
|
|
| |
Bộ điều khiển nguồn IR® Digital |
All Digital Power |
| |
|
CPU Memory |
Memory |
|
|
|
Thiết Kế Đóng Gói Đơn |
IR sử dụng công nghệ đóng gói hàng đầu thế giới do DirectFET® phát triển, công nghệ này giúp cải thiện khả năng chịu nhiệt và bố cục của PowIRstage® một cách đáng kể so vói đóng gói MCM. |
| |
| Thiết kế đóng gói đơn * và Thiết kế nhiều nhiều chip trong 1 |
| |
High Side MOSFET |
| |
|
Driver IC |
|
| |
Low Side MOSFET |
|
|
Việc triển khai các lớp MOSFET khác sử dụng multi-chip, sắp xếp các high và low side MOSFET và trình điểu khiển IC cạnh nhau sẽ chiếm dụng nhiều khoảng trống và dễ tạo ra rò điện. |
|
|
High Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
| |
Low Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
| |
IC điều khiển
(MOSFET Driver) |
| |
|
|
Thiết kế bộ điều khiển nguồn kỹ thuật số và IC PowIRstage® có thể khác nhau tùy theo từng model. |
| |
Power Stage
(Hay IR3550 PowIRstage® ) |
MOSFET trở kháng thấp
(Còn gọi là WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
| |
|
8 chân
(4 phải, 4 trái) |
MOSFET truyền thống (Còn gọi là D-Pak MOSFET...) |
| |
|
3 chân
(1 phải, 2 trái) |
| |
Kích thước của chúng là đồng nhất |
|
|
Siêu Mát, Siêu Hiệu Quả, Siêu Hiệu Năng |
| |
MOSFET truyền thống |
IR3550 PowIRstage® |
|
|
| |
* Kết quả thử nghiệm chỉ dành cho tham khảo, nó tùy thuộc vào từng cấu hình hệ thống.
* 4 phase IR3550 PowIRstage®, lớp PCB đồng dầy 2x và 4 phase MOSFET truyền thống @ 100A được tải trong 10 phút không sử dụng tản nhiệt. |
| |
Nhiệt độ mát hơn = Ép xung cao hơn |
Quá nóng |
Không cấp đủ nguồn
để ép xung |
Các IC IR3550 PowIRstage® mát hơn thiết kế MOSFET khác, cho phép người sử dụng ép xung đến mức hiệu năng tốt hơn. Mỗi linh kiện nguồn đều có ngưỡng nhiệt độ vận hành tối đa và khi đã đạt đến ngưỡng đó thì việc “chích” thêm nguồn sẽ cho kết quả ép xung không được như mong muốn. Bởi vì IC IR3550 PowIRstage có thể hoạt động ở điện áp cao hơn ở nhiệt độ mát hơn so với thiết kế truyền thống, vì vậy các tay ép xung có thể có nhiều mức tăng điện áp, mà vẫn đạt được kết quả ép xung cao hơn.. |
|
Độ ổn định khi ép xung của MOSFET |
| |
IR3550
PowIRstage® |
Tốt nhất |
| |
MOSFET
trở kháng thấp
(Còn gọi là WPAK, Power Pak MOSFET...) |
Tốt |
| |
MOSFET truyền thống
(Còn gọi là D-Pak MOSFET... ) |
Bình thường |
|
|
|
| |
|
Các tính năng và linh kiện thực tế có thể khác nhau theo từng model |
Đặc tính kỹ thuật và hình ảnh là đối tượng thay đổi mà không cần báo trước. |
Hình ảnh chỉ để tham khảo. |
|
