Cool Power, Inside and Out |
 |
GIGABYTE Ultra Durable™ 5 ที่มีไอซี IR3550 PowIRstage® ICs จะมาพร้อมคุณลักษณะพิเศษในการให้พลังงานได้มากถึง 60A นับเป็นไอซีคุณภาพสูงที่สุดในอุตสาหกรรมขณะนี้. ซึ่งด้วยไอซีที่ดีเยี่ยมนี้จะช่วยทำให้การจัดส่งพลังงานให้กับซีพียู มีเสถียรภาพ และรองรับการโอเวอร์คล็อกได้ดียิ่งขึ้น
|
|
 |
เลย์เอาต์และบรรจุภัณฑ์เชื่อมต่อทองแดงจะช่วยลดความสูญเสียพลังงานอันเนื่องมาจากการเหนี่ยวนำสูง ซึ่งอาจจะทำให้เกิดเสียง และการสูญเสีย AC สูง
|
การเชื่อมต่อระหว่างเพาเวอร์ MOSFETs ที่ใช้ทองแดง จะช่วยให้การสูญเสียพลังงานต่ำลงและช่วยในการแพร่กระจายความร้อน |
ตัว MOSFET driver IC จาก International Rectifier |
High side MOSFET (Control FET), MOSFET (SyncFET) มีความต้านทางต่ำ และมี integrated Schottky Diode ที่มีประสิทธิภาพสูง
|
มีเส้นทางในการทำงานที่สั้น โดยจะผ่านการควบคุมอย่างใดอย่างหนึ่ง คือ control FET (duty cycle ON) หรือ Sync FET (Duty cycle OFF) และสามารถบริหารจัดการอำนาจการทำงานในระดับ 60A ได้ดี.
|
คลิปทองแดงจะช่วยลดความร้อนให้ออกไปจากชิพซิลิกอน |
|
|
Traditional CPU Power Zone Design |
PWM controller |
MOSFET Drivers |
Traditional High and
Low side MOSFETs |
Choke |
Capacitor |
CPU |
|
| |
CPU Power Zone Q & A
|
| |
อะไรคือ CPU Power Zone ?
CPU Power Zone จะประกอบไปด้วยคอมโพเนนท์ที่ใช้สำหรับจัดส่งพลังงานให้กับ CPU (PWM controller, MOSFET Drivers, High and Low side MOSFETs , Chokes, Capacitors และ related circuitry)
อะไรคือ MOSFET ?
MOSFET เป็นองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดใน CPU power zone, เป็นสวิทซ์ที่อนุญาตให้กระแสไฟไหลผ่านไปยัง CPU. มักจะถูกควบคุมการทำงานด้วย MOSFET driver และ PWM controller. นอกจากนี้ยังเป็นหนึ่งในองค์ประกอบที่แพงที่สุดของการออกแบบภาคจ่ายไฟอีกด้วย
อะไรคือ Power Stage ?
Power Stage เป็นชิพตัวเดียวที่มีโปรแกรมควบคุม MOSFET driver, 1 high side MOSFET และ 2 (บางครั้งมีเพียง 1) Low Side MOSFETs . Power Stages จะใช้กระบวนการผลิตที่ดีขึ้น จึงทำให้มีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น
อะไรคือ MOSFET แบบดั่งเดิม (หรือที่เรียกว่า D-Pak MOSFET...) ?
MOSFET แบบดั่งเดิม จะใช้เทคโนโลยีการออกแบบรุ่นเก่า ที่ใช้สำหรับ CPU power zone ซึ่ง MOSFET drivers และ High and Low Side MOSFETS จะถูกแบ่งเป็นสองชิพ (multi-chip MOSFET design). มีราคาไม่แพง และมีประสิทธิภาพการทำงานด้อยกว่าชิพแบบเดี่ยว |
|
|
| |
| |
| |
|
IR ได้ยกระดับการพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับ DirectFET®, ซึ่งเป็นการปรับปรุงความสามารถในการะบายความร้อน และรูปแบบของ PowIRstage® อย่างมีนัยสำคัญมากกว่า MCM แพ็กเกจอื่นๆ |
| |
Single Package Design* |
vs. |
Multi-Chip Design |
|
| |
Driver IC |
| |
|
*patent pending |
|
|
|
Other MOSFET layout implementations use a multi-chip, side-by-side arrangement of the high and low side MOSFETs and driver IC, taking up significant board real estate and creating more electrical leakage. |
 |
High Side MOSFET
(Traditional MOSFET) |
| |
Low Side MOSFET
(Traditional MOSFET) |
| |
Driver IC
(MOSFET Driver) |
|
| |
|
|
| |
|
|
| |
| |
| |
| |
Ultra Cool, Ultra Efficient, Ultra Performance |
High Efficiency = Low Power Loss = Less heat = Longer Lifespan |
| |
| |
ด้วย IR3550 PowIRstages® ช่วยทำให้การทำงานที่แรงดันไฟฟ้าสูงๆ ไม่เกิดปัญหา เพราะสามารถรักษาอุณหภูมิการทำงานได้เย็นกว่า ช่วยเพิ่มช่องว่างให้กับการโอเวอร์คล็อกได้ดียิ่งขึ้น ส่งผลให้การโอเวอร์คล็อกมีศักยภาพสูงสุด
|
| |
Traditional MOSFET
Comparison Sample |
Lower RDS(on) MOSFET
up to 40°C Lower |
IR3550 PowIRstage®
up to 60°C Lower |
|
|
|
OK |
Good |
Best |
|
| |
* ทดสอบผลเพื่อการอ้างอิงเท่านั้น ผลการทดสอบอาจแตกต่างไปตามการกำหนดค่าระบบ
* Up to 60° C lower temp. obtained using 4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink |
| |
| |
IR3550 PowIRstage® ICs เป็นไอซีที่ได้รับการออกแบบให้เย็นกว่า MOSFET แบบอื่นๆ , ช่วยทำให้การโอเวอร์คล็อกมีประสิทธิภาพสูงขึ้น โดยส่วนประกอบทั่วไปที่มีประสิทธิภาพในการจัดการความร้อนได้ไม่ดี เมื่อมีการเพิ่มแรงดันฟ้ามากขึ้น จึงทำให้การโอเวอร์คล็อกเกิดความล้มเหลว แต่การออกแบบด้วย IR3550 PowIRstages® ช่วยทำให้การทำงานที่แรงดันไฟฟ้าสูงๆ ไม่เกิดปัญหา เพราะสามารถรักษาอุณหภูมิการทำงานได้เย็นกว่า ช่วยเพิ่มช่องว่างให้กับการโอเวอร์คล็อกได้ดียิ่งขึ้น ส่งผลให้การโอเวอร์คล็อกมีศักยภาพสูงสุด
|
Cooler temps. = Higher Overclocks |
MOSFET Overclocking Stability |
|
Overheat |
Not enough power
for overclocking |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
Best |
|
 |
Lower RDS(on)
MOSFET
(Also known as WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Good |
|
 |
Traditional MOSFET
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
OK |
|
|
|
| |
Quality Inside and Out |
ถึงแม้ว่าชิ้นส่วนที่มีคุณภาพสูง ที่ถูกนำมาใช้งานกับเมนบอร์ด GIGABYTE Ultra Durable™ จะไม่สามารถมองเห็นได้จากภายนอก แต่คุณจงเชื่อมั่นว่าเราได้ใช้ความพยายาม และทำงานกันอย่างหนักเพื่อให้เมนบอร์ดของเรามีประสิทธิภาพในการทำงานที่ดียิ่งขึ้น มีอุณหภูมิการทำงานต่ำ มีอายุการทำงานที่ยืนยาว และรองรับการโอเวอร์คล็อกได้ดีกว่าเดิม นอกเหนือจากการประหยัดพลังงานซึ่งเป็นหัวใจหลักในการออกแบบที่เรายึดมั่นเสมอมา และนี่คือทั้งหมดที่เราขอรับประกันว่าคุณจะได้รับจากเมนบอร์ด GIGABYTE Ultra Durable™ ทุกรุ่น
|
|
PCB (Printed Circuit Board)
2x copper PCB = 2 oz copper PCB = weight of copper layer
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB is 56.7 g (2 oz)
|
Copper Layer |
Thickness |
2x copper |
0.070mm (70 µm) |
1x copper |
0.035mm (35 µm) |
|
|
High Capacity
Ferrite Core
Choke |
|
Solid Capacitor |
| |
|
Power Stage |
|
2x Copper
Inner Layer |
Signal Layer |
|
|
Power Layer |
|
|
| |
|
|
New Glass Fabric |
|
|
Ground Layer |
|
|
Signal Layer |
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
The Benefits of 2 oz Copper PCB design
|
|
Lower
Temperature |
Better
Overclocking |
Better Power
Effciency |
2x Lower
Impedance |
Lower EMI |
Better ESD
Protection |
|
| |
GIGABYTE's exclusive 2X Copper PCBs design จะช่วยทำให้การจัดส่งพลังงานเพียงพอต่อความต้องการของซีพียูทั้งในการทำงานปกติ และการนำเอาความร้อนออกจากซีพียูเมื่อมีการใช้งานแบบหนักหน่วง. นี้คือสิ่งจำเป็นที่จะช่วยให้คุณมั่นใจได้ว่าเมนบอร์ดจะสามารถจัดส่งพลังงานได้อย่างต่อเนื่องเมื่อต้องการโอเวอร์คล็อก |
