酷冷CPU供電 裡外兼具 |
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技嘉第五代超耐久™ 主機板，使用 IR3550 PowIRstage® 晶片，內建業界最高60安培的超高耐電流能力，並具有更低電源損耗、絕佳電源效率和出色的散熱管理。
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佈線及封裝方式，採用銅箔來連接所有電源路徑，而非採用焊線的方式連接，減少焊線的高阻抗所造成的電源損耗，以及電感的高頻噪音和過高的交流電源損耗。
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電晶體之間的電源連接，使用非常低損耗的銅箔，減少損耗，並幫助傳播熱量。 |
IR公司專業生產的電晶體驅動晶片。 |
高端電晶體(Control FET) ，具有非常低的柵極電荷。低端電晶體(SyncFET) 整合特殊的二極體( Schottky Diode)具有更高的效率。
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電流從裝置底部藉由銅箔傳輸通過control FET (duty cycle 打開) 或Sync FET (Duty cycle關閉)的路徑相當短。這是它可以處理60安培電流，且耐用度高的另一個原因。
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自定義的銅導線架，從矽晶將熱量帶走。 |
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傳統處理器供電區域設計 |
PWM 控制晶片 |
電晶體驅動晶片 |
傳統高端及低端電晶體 |
電感 |
電容 |
處理器 |
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處理器供電區域 釋疑
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何謂處理器供電區域?
主機板的處理器供電區域包括各種零組件(PWM 控制晶片、 電晶體驅動晶片、高端及低端電晶體、電感、電容及相關電路)，負責供應電力到處理器。
何謂電晶體(MOSFET)?
電晶體的是處理器供電區域的最關鍵的零組件之一，因為它是一個開關，負責允許或不允許電流流向的處理器，這個開關功能由電晶體驅動晶片及PWM 控制晶片負責掌控。它也是整個電源設計最昂貴的零組件之一。
何謂Power Stage ?
Power Stage 是一個單晶片電晶體，它包含了電晶體驅動晶片、一個高端電晶體、兩個(有時候是一個)低端電晶體i。Power Stages使用更先進的製造工藝，因此效率跟效果都更好。
何謂傳統電晶體(或常被稱為D-Pak 電晶體...) ?
所謂的傳統電晶體是一種較舊款的電晶體設計，它常被運用在傳統的處理器供電區域設計，這樣的作法需要個別的電晶體驅動晶片、高端電晶體及端電晶體搭配使 (也就是多晶片電晶體設計).這樣的設計具有很高的價格優勢，但是電源效率卻比單芯片的Power Stage 低很多。 |
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IR公司利用世界一流的包裝技術，開發出專利申請中的DirectFET® 設計，製造出散熱能力和佈線效果都有比其他MCM封裝來得更好的PowIRstage® 產品。 |
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單封裝設計* |
vs. |
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其他電晶體佈線需要將包括高端電晶體、低端電晶體、電晶體驅動晶片等多顆晶片並排配置，不但佔用主機板的空間更容易產生不必要的電力損耗。 |
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高端的電晶體
(傳統電晶體設計) |
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低端電晶體
(傳統電晶體設計) |
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驅動晶片
(電晶體驅動器) |
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超酷冷, 超高效, 超效能 |
高效率 = 低電源損耗 =低熱量 = 更長的使用壽命 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片具有比其他MOSFET設計更低溫的特性，可以協助使用者將超頻效能推向新高的等級！
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傳統設計電晶體
對照組 |
低電阻式電晶體
最多低 40°C |
IR3550 PowIRstage®
最多低 60°C |
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堪用 |
很好 |
最佳 |
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*測試結果只作參考。根據系統配置，結果可能會有所不同。
*最多低 60° C 的溫度，是藉由比較4相IR3550 PowIRstage® + 2倍銅電路板設計與4相D-PAK MOSFET設計，在實驗室以100安培電流負載10分鐘的無風流、無電晶體散熱片測試獲得。 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片具有比其他MOSFET設計更低溫的特性，可以協助使用者將超頻效能推向新高的等級！每一種電源元件都有其可承受最高工作溫度，一旦達到這個極限溫度，若再增加更多電壓只會增加廢熱而導致超頻失敗。由於IR3550 PowIRstages® 在高電壓運作時具有比傳統效果設計更低溫的效果，所以可以承受更多超頻所需要的電壓，進而提供更高的潛在超頻能力！
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更低溫 = 更好的超頻效果 |
電晶體對超頻穩定性的影響 |
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IR3550
PowIRstage® |
最佳 |
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低電阻式電晶體
(大家熟知的 WPAK, PowerPak 電晶體...) |
很好 |
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傳統電晶體
(大家熟知的 D-Pak電晶體... ) |
堪用 |
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