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Innovations
  
  Driver MOSFET : Intégration de composants VRM.
                  Driver MOSFET : Intégration de composants VRM.
 
En intégrant des MOSFETs répondant aux standards et spécifications Intel®, les cartes mères GIGABYTE de série 6 permettent une meilleure gestion de courant à haute fréquence pour répondre aux besoins des processeurs les plus récents. Driver-MOSFETs vous aide à réduire les besoins de votre VRM pour une zone processeur sécurisée et optimisée.
  Discrete PowerMOS x 2
Driver IC x 1
  Surface réduite
de 50%
  MOSFET + Driver IC
  Driver MOSFET
 
  Efficacité énergétique
  Avantages de l'innovation GIGABYTE Ultra Durable 3 Driver MOSFETS.
     
GIGABYTE
Driver MOSFETs
Design classique
    Efficacité énergétique
Bonne
Faible
   
Perte de courants
Faibles
Importantes
   
Chaleur dégagée
Faible
Importante
   
Durabilité
Importante
Faible
  Cartes mères GIGABYTE Ultra Durable 3
Les séries de cartes mères GIGABYTE Ultra Durable 3 se positionnent en tant que leader de l'industrie IT offrant design et qualité avancée. Avec 2 onces de cuivre pour les couches d'alimentation et de masse, GIGABYTE vous offre des réductions conséquentes de températures systèmes, une efficacité energétique accrue et de plus grandes marges de manoeuvre en Overclocking.
Bobines en ferrite
 
 
Condensateurs solides, durée de vie de 50,000h
Lower RDS(on)
MOSFET
  
 
PCB à double couche de cuivre
Couche de signal
 
Prepreg
    
Couche d'alim.
   
Noyau
    
     
Masse
Prepreg
Couche de signal
   
Avantages
● Refroidissement optimisé
● Durabilité améliorée
● Efficacité énergétique
● Overclocking !		 PCB (Printed Circuit Board) PCB à 2OZ de cuivre = poids d'une couche
30.48 cm x 30.48 cm PCB : 56.7 g (2 oz)
 
Couche de cuivre Epaisseur
2x 0.070mm (70 µm)
1x 0.035mm (35 µm)
Faibles
Temp.		 Overclocking Efficacité
Energétique		 Impédance
divisée par 2 		Faibles EMI Protection
ESD

 
   
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