Insist on an Ultra Durable™ Motherboard for your new PC
 
 
|
|
 
   



Ultra Durable™ 5 - Thiết kế chất lượng nguồn CPU cao nhất ngành
Các bo mạch chủ Ultra Durable™ tốt nhất của chúng tôi
GIGABYTE một lần nữa đã nâng mức xếp hạng “chất lượng và độ bền” bo mạch chủ với công nghệ Ultra Durable™ 5, được trang bị các linh kiện có khả năng chịu và cấp dòng cao nhằm cung cấp nguồn điện chất lượng cao nhất cho CPU. Để đạt hiệu năng phá vỡ kỷ lục, hoạt động mát mẻ và hiệu quả và kéo dài tuổi thọ bo mạch.

IR3550 PowIRstage®
Có tần công suất được đánh giá và xếp hạng cao nhất ngành.
• Dòng ra lên đến 60A, nhưng vẫn duy trì được nhiệt độ mát mẻ
• Kết hợp hoàn hảo: Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 và IC IR PowIRstage®, xử
  dụng 2 bộ điều khiển PWM kỹ thuật số IR, giúp cấp nguồn hệ thống được xuyên suốt, độc đáo.
• • Hiệu quả đỉnh lên đến 95% dẫn đầu ngành công nghiệp
 
 
Thiết kế nguồn CPU tối ưu

PCB bằng đồng dầy 2x
Cung cấp đủ đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý quá trình tải ngoại lệ khi thực hiện ép xung và triệt tiêu sức nóng khỏi các khu vực nguồn CPU nhạy cảm.

Cuộn dây lõi Ferrit chịu dòng cao
Lên đến 60A để cung cấp nguồn điện ổn định nhất.

* Đặc tính kỹ thuật thực tế của linh kiện có thể khác tùy theo từng model.
 

Cực mát, từ trong ra ngoài
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable 5 sử dụng ICIR3550 PowIRstage®, có khả năng cấp dòng đến 60A cao nhất ngành, thất thoát điện năng thấp, duy trì nhiệt độ xuất sắc và hiệu quả cao hơn.
Bố trí và đóng gói sử dụng các điểm nối bằng đồng cho tất cả các đường dẫn nguồn hơn là nối ghép dây, làm giảm thất thoát do nối ghép dây trở kháng và tự cảm cao gây ra hiện tượng thất thất điện năng cao.

Đường dẫn tín hiệu giữa các MOSFET sử dụng đồng nguyên chất dầy, giảm thất thoát và giúp lan tỏa sức nóng nhanh chóng.
IC điều khiển MOSFET chuyên dụng từ International Rectifier.
High side MOSFET (FET điều khiển) có cổng nạp rất thấp. Low side MOSFET (SyncFET) tích hợp diode Schottky để tăng hiệu quả cao hơn.
Dòng điện chỉ mất 1 đoạn đường rất ngắn từ phía dưới thiết bị, để đi đến FET điều khiển (duty cycle ON) hoặc SyncFET (Duty cycle OFF) và qua kẹp đồng. Đây là lý do thiết bị rất bền và có thể chịu đến 60A.
Khung bọc bằng đồng tùy biến dẫn nhiệt ra khỏi silicon
Thiết kế khu vực nguồn CPU truyền thống

Bộ điều khiển PWM
Trình điều khiển MOSFET
MOSFET High side và
Low side truyền thống
Cuộn dây
Tụ điện
CPU
 
Khu vực nguồn CPU là gì?
 
Khu vực nguồn CPU là gì?
Khu vực nguồn CPU của bo mạch chủ chứa nhiều linh kiện khác nhau, chịu trách nhiệm cấp phát nguồn điện đến CPU (PWM controller, MOSFET Drivers, High và Low side MOSFET, cuộn dây, tụ điện và mạch liên quan).

MOSFET là gi?
MOSFET là 1 trong những linh kiện quan trọng nhất của khu vực CPU, nó đóng vai trò như là 1 công tắc cho phép hoặc ngăn dòng điện vào CPU. Chế độ bật/tắt do driver và controller MOSFET điều khiển. Đây cũng là 1 trong những linh kiện đắt tiền nhất trong thiết kế nguồn.

Power Stage là gì ?
Power Stage là một chon chip đơn bao gồm trình điều khiển MOSFET, 1 high side MOSFET và 2 (thỉnh thoảng 1) low side MOSFET. Power Stages được sản xuất bằng các sử dụng quá trình xử lý cao cấp, và do đó hiệu quả hơn.

MOSFET truyền thống là gì (như D-Pak MOSFET)?
MOSFET truyền thống có thiết kế ít cao cấp được sử dụng trong các khu vực nguồn CPU thông thường, nơi các trình điều khiển MOSFET và high và low side MOSFET là các chip đơn lẻ (thiết kế MMC).Chúng không quá đắt và kém hiệu quả hơn chip Power Stage đơn.
 
 
 
Thiết kế đóng gói đơn
IR sử dụng công nghệ đóng gói hàng đầu thế giới do DirectFET® phát triển, công nghệ này giúp cải thiện khả năng chịu nhiệt và mặt ngoài của PowIRstage® một cách đáng kể so vói đóng gói MCM.
 
Thiết kế đóng gói đơn*
vs.
Thiết kế nhiều chip (MCM)
   
  High Side MOSFET
 
Trình điều khiển IC
 
  Low Side MOSFET
*Đang chờ cấp bản quyền
 
Sự triển khai các lớp MOSFET khác sử dụng multi-chip, sắp xếp các high và low side MOSFET và trình điểu khiển IC cạnh nhau, chiếm dụng nhiều khoảng trống và dễ tạo ra rò điện.
High Side MOSFET
(MOSFET truyền thống)
 
Low Side MOSFET
(MOSFET truyền thống)
 
Trình điều khiển IC
(MOSFET Driver)
   
 
 
 
 
 
Siêu mát,  Siêu hiệu quả,  Siêu hiệu năng
Hiệu quả cao = Thất thoát điện năng thấp = Ít nóng = Tuổi thọ được kéo dài
 
 
IR's IR3550 PowIRstage® có hiệu quả nguồn điện hơn và mát hơn so với MOSFET đối thủ, dẫn đến kéo dài tuổi thọ và nhiều khoảng không hơn dành cho hiệu năng ép xung tốt hơn.
 
MOSFET truyền thống
So sánh mẫu
MOSFET trở kháng thấp
thấp hơn đến 40°C
IR3550 PowIRstage®
thấp hơn đến 60°C
Bình thường
Tốt
Tốt nhất
 
* * Kết quả test chỉ để tham khảo. Kết quả có thể khác tùy theo cấu hình hệ thống.
* Nhiệt độ thấp hơn đến 60 độ. Kết quả nhận được khi sử dụng 4 phase IC IR3550 PowIRstage®, lớp PCB đồng 2x và 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A tải trong 10” ở phòng thí nghiệm không có heatsink.
 
 
Các IC IR3550 PowIRstage® vẫn mát hơn thiết kế MOSFET khác, cho phép người sử dụng ép xung hệ thống đến mức hiệu năng cao hơn. Mỗi linh kiện nguồn đều có ngưỡng nhiệt độ hoạt động, và một khi nó đã đạt mức giới hạn, việc cấp thêm nguồn sẽ gây ra kết quả hỏng hóc. Bởi vì IC IR3550 PowIRstage® có thể hoạt động ở nhiệt độ mát hơn với mức điện thế cao hơn thiết kế truyền thống, các tay ép xung có thể có nhiều "mức giới hạn" hơn để tăng điện áp, dẫn đến kết quả ép xung cao hơn.
Nhiệt độ mát hơn = Ép xung cao hơn
MOSFET ép xung ổn định
Quá nóng
Không đủ nguồn
để ép xung
IR3550
PowIRstage®
Tốt nhất
MOSFET
trở kháng thấp

(như: WPAK, PowerPak MOSFET...)
Tốt
MOSFET truyền thống
(như D-Pak MOSFET... )
Bình thường
 

Các linh kiện chịu dòng cao

Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 được trang bị tần công suất dung lượng cao và cuộn dây lõi Ferrit lên đến 60A với lớp PCB đồng dầy 2x độc quyền của GIGABYTE giúp cấp phát nguồn ổn định hơn.
 
Tần công suất
cấp dòng cao 60A
Cuộn dây lõi Ferrit
chịu dòng cao 60A
  Lớp PCB đồng dầy 2x
  * Đặc tính kỹ thuật thực tế của linh kiện có thể khác nhau theo từng model.



Chất lượng từ trong ra ngoài

Mặc dù một vài linh kiện chất lượng cao sử dụng trong bo mạch GIGABYTE Ultra Durable không nhìn thấy được từ bên ngoài, nhưng thực tế chúng vẫn đang "làm việc miệt mài" để đem đến hiệu quả tốt hơn, tiết kiệm năng lượng hơn, nhiệt độ hệ thống mát hơn, hiệu năng ép xung và tuổi thọ hệ thống được kéo dài hơn. Đó là lời đảm bảo của GIGABYTE Ultra Druable.

PCB (Printed Circuit Board)
PCB đồng 2x = PCB đồng 2 oz = Trọng lượng của lớp đồng
30.48 cm x 30.48 cm (1 foot vuông) PCB là 56.7 g (2 oz)

Lớp đồng
Dầy
Đồng 2x
0.070mm (70 µm)
Đồng 1x
0.035mm (35 µm)
Cuộn dây
lõi Ferrit
chịu dòng cao
 
Tụ điện rắn
   
Tần công suất
 
Lớp đồng dầy 2x
bên trong
Lớp tín hiệu
   
Lớp nguồn
   
     
Sợi thủy tinh mới
   
Lớp đất
   
Lớp tín hiệu
   
     
     
Lợi ích của thiết kế lớp PCB đồng dầy 2 oz
Nhiệt độ
thấp hơn
Ép xung
tốt hơn
Nguồn điện
hiệu quả hơn
Trở kháng
thấp hơn 2x
Nhiễu EMI thấp hơn Chống tĩnh điện
tốt hơn
 
Thiết kế lớp PCB bằng đồng nguyên chất dầy 2x độc quyền của GIGABYTE cung cấp đủ các đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý tốt hơn so với thông thường và triệt tiêu nhiệt khỏi khu vực cấp nguồn CPU. Điều này đảm bảo bo mạch có thể giải quyết việc tăng tải cần thiết khi thực hiện ép xung.



  Để tìm hiểu thêm về Ultra Durable, xin vui lòng truy cập : http://www.gigabyte.com/MicroSite/312/ud5.html




Ultra Durable™ 4 - Khẳng định bo mạch chủ siêu bền

  Thiết kế MOSFET trở kháng thấp Các linh kiện chất lượng tạo nên chất lượng bo mạch chủ
  Mặt sau của MB Mặt trước của MB
 
Nguồn PWM Digital B
dành cho Memory và VTT
Nguồn PWM Digital A
dành cho CPU và Intel HD Graphics
 


 
Thiết kế mát mẻ
Bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™
Từ giữa năm 2011, GIGABYTE hoàn toàn không sử dụng MOSFET D-Pak cho khu vực nguồn CPU
 
MOSFET truyền thống
So sánh mẫu
MOSFET trở kháng thấp
thấp hơn đến 40°C
 
 
 
 
Nóng
Mát mẻ
 
 
 
 
* * Kết quả test chỉ để tham khảo, kết quả có thể khác tùy theo cấu hình hệ thống.
* Nhiệt độ thấp hơn đến 60 độ. Kết quả nhận được khi sử dụng 4 phase IC IR3550 PowIRstage®, lớp PCB đồng 2x và 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A tải trong 10” ở phòng thí nghiệm không có heatsink.
 
MOSFET trở kháng thấp
(như WPAK, PowerPak MOSFET...)
Chi phí cao hơn
 
Hiệu quả tốt
Nhiệt độ thấp
MOSFET truyền thống
(như D-Pak MOSFET... )
Chi phí thấp
 
Hiệu quả thấp
Nhệt độ cao
 
   
MOSFET trở kháng thấp
(như WPAK, PowerPAK MOSFET...)
  8 chân
(4 phải, 4 trái)
MOSFET truyền thống (như D-Pak MOSFET...)
  3 chân
(1 phải, 2 trái)
  Kích thước giữa các đối tượng là cố định
 
Nhiệt độ mát hơn = Ép xung cao hơn
 
Quá nóng
 
Không đủ nguồn
để ép xung
 



Lớp PCB bằng đồng dầy 2X

Thiết kế GIGABYTE Ultra Durable™ 4 trang bị cho lớp nguồn (Power) và mass (Ground) số lượng đồng dầy gấp đôi so với bo mạch chủ thông thường. Với thiết kế này, giúp cho nhiệt độ hệ thống thấp hơn do lan truyền sức nóng tốt hơn từ những vùng nhạy cảm của bo mạch như: Nguồn CPU. GIGABYTE Ultra Durable 4 còn làm giảm trở kháng của PCB xuống 50% giúp tránh được tình trạng thất thoát điện năng và giảm nhiệt độ của các linh kiện. Lớp đồng dầy gấp đôi, cải thiện chất lượng tín hiệu và giảm EMI (nhiễu điện từ), giúp hệ thống ổn định hơn và cho phép ép xung tốt hơn.


Cuộn dây lõi Ferrit
 
50,000 giờ.
Tụ điện rắn
Nhật bản
MOSFET    
trở kháng thấp      
   
   
2X Lớp đồng
bên trong
Lớp tín hiệu
     
Prepreg
     
Lớp nguồn
     
     
     
Lõi
     
     
     
Lớp đất
     
Prepreg
     
Lớp tín hiệu
     
PCB (Printed Circuit Board)
PCB đồng 2x= PCB đồng 2 oz = Trọng lượng của lớp đồng
30.48 cm x 30.48 cm (1 foot vuông) PCB là 56.7 g (2 oz)

Lớp đồng
Dầy
Đồng 2x
0.070mm (70 µm)
Đồng 1x
0.035mm (35 µm)
Lợi ích của PCB đồng dầy 2x
• Bo mạch mát hơn so với truyền thống
•  Tăng cường tính bền bĩ
• Tăng hiệu quả tiết kiệm điện năng
•  Ép xung tốt hơn
 
   
Nhiệt độ
thấp hơn
Ép xung
tốt hơn
Hiệu quả nguồn
điện tốt hơn
Trở kháng
thấp hơn 2x
EMI thấp hơn Chống tĩnh điện
tốt hơn





Bảo vệ tránh thời tiết nóng ẩm
Lớp PCB sợi thủy tinh mới
Công nghệ PCB sợi thủy tinh sử dụng vật liệu PCB mới giúp làm giảm khoảng trống giữa các sợi, làm cho độ ẩm khó xâm nhập hơn so với lớp PCB truyền thống. Giúp bảo vệ và hạn chế tốt hơn tình trạng ngắn mạch và hoạt động không ổn định.
MỚI
PCB sợi thủy tinh mới
PCB sợi thủy tinh truyền thống
Truyền thống





Bảo vệ chống tĩnh điện
IC kháng tĩnh điện cao
Tất cả các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic đều sử dụng IC chất lượng cao có độ kháng tĩnh điện (ESD) cao gấp 3 lần so với IC thông thường. Giúp bảo vệ các linh kiện của bo mạch chủ tốt hơn và chống lại các thiệt hại tiềm ẩn do tĩnh điện gây ra.
IC kháng tĩnh điện cao
IC kháng tĩnh điện truyền thống






Bảo vệ chống sốc điện
DualBIOS™ ; IC chống sốc điện
Nếu bạn đã từng gặp phải hỏng thiết bị do bị mất điện đột ngột, thì giờ đây với GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic các bo mạch chủ của bạn đã được trang bị để khắc phục tình trạng đó. Tất cả các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic đều sử dụng công nghệ độc quyền DualBIOS để bảo vệ an toàn cho BIOS của bạn. DualBIOS sẽ tự động khôi phục lại BIOS trong trường hợp có vấn đề về nguồn điện.
Khôi phục BIOS
 
GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic cũng được trang bị các IC chống sốc điện để bảo vệ hệ thống máy tính tránh khỏi các nguy cơ do tăng áp hay hạ áp đột ngột, đảm bảo máy tính có thể khắc phục được những trường hợp nguồn điện không ổn định.
 
IC chống sốc điện
Không có IC chống sốc
* IC chống sốc phụ thuộc vào từng model





Bảo vệ chống nhiệt độ cao
Toàn bộ tụ điện rắn; MOFET trở kháng thấp
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic đều sử dụng các linh kiện được chọn lựa khắc khe. Đảm bảo máy tính có khả năng hoạt động ở nhiệt độ cao hơn, trong điều kiện thời tiết khắc khiệt ở cùng một thời điểm. Giúp ngăn ngừa nhiệt độ máy tính quá cao. Sử dụng các tụ điện rắn cho các dòng bo mạch chủ, GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic giúp giảm thiểu nhiệt độ của PCB, giúp bền bĩ hơn khi hoạt động ở nhiệt độ cao.
 
So sánh tụ điện
Sử dụng toàn bộ tụ điện rắn
Tụ điện truyền thống
 
 
So sánh MOSFET
 
Thiết kế MOSFET trở kháng thấp
 
Thiết kế MOSFET truyền thống
* Thiết kế MOSFET truyền thống phụ thuộc vào từng model.


 
 



 

Share the webpage to Facebook and Twitter :  
All intellectual property rights, including without limitation to copyright and trademark of this work and its derivative works are the property of, or are licensed to,
GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. Any unauthorized use is strictly prohibited.