|
2 oz Copper PCB
เหนือกว่าด้วยทองแดงขนาด 2 ออนซ์ภายในชั้นเลเยอร์ อุณหภูมิลดลงกว่า 50 องศาเซลเซียส, ให้ความต้านทานกระแสไฟฟ้าลดลง 2 เท่า |
|
แผ่น PCB (Printed Circuit Board)
2 oz copper PCB = จำนวนรวมของน้ำหนักทองแดงทั้งหมดภายในแผ่นพีซีบี (12 นิ้ว x 12 นิ้ว) |
|
| น้ำหนัก |
ความหนา |
| 1.0 oz |
35 µm (µ = micro) |
| 2.0 oz |
70 µm (µ = micro) |
|
|
|
| |
| |
| อุณหภูมิลดลงกว่า50°C |
|
 |
| |
* CPU VRM Temperature measurements under system setup with water-cooler block and CPU running at 100% loading |
|
|
|
การเพิ่มทองแดงเป็น 2 ชั้นด้วยขนาดที่ใหญ่ขึ้น จะช่วยลดปัญหาความร้อนสะสมที่เกิดกับแผ่น PCB ได้ นับเป็นโซลูชั่นใหม่สำหรับช่วยเพิ่มเติมประสิทธิภาพในการแผ่กระจายความร้อนที่อยู่ในบริเวณมุมอับ เช่น บริเวณรอบๆ ซ็อกเกตของตัวซีพียู ตลอดจนความร้อนสะสมที่เกิดขึ้นกับแผ่น PCB ทั้งแผ่น ซึ่งจากการทดสอบนั้น พบว่าเทคโนโลยี GIGABYTE Ultra Durable 3 สามารถส่งมอบความเย็นให้กับเมนบอร์ดได้ดียิ่งขึ้น โดยมีอุณหภูมิในการทำงานที่ลดลงกว่า 50 องศาเซลเซียส ซึ่งให้ประสิทธิภาพในการจัดการความร้อนได้ดีกว่าเมนบอร์ดที่ถูกผลิตด้วยมาตรฐานในปัจจุบันทุกรุ่น.
|
| |
ระบบที่ใช้ทดสอบ:
CPU : Intel Core 2 Quad Extreme QX6800
Memory : DDR2 800 512MB *2
VGA : NX73G-128D-RH |
| |
แอพพลิชั่นที่ใช้ทดสอบ:
Tool: Intel P4MaxPower @ 100% Power
Thermal Solution: water cooling to avoid air flow for accurate measurement
Room temp: 25°C |
|
| |
| |
| Infra Red CPU VRM Thermal Diagram |
 |
| * CPU VRM Temperature measurements under CPU running at 100% loading. |
| |
| |
| Lower RDS(on) MOSFETs |
‧ เปิดปิดควบคุมการชาร์จพลังงานเพื่อลดค่าการสูญเสียกระแสไฟฟ้า
‧ อุณหภูมิต่ำกว่า ขนาดเล็กกว่า มีรูปแบบการระบายอากาศที่ดีกว่า |
| GIGABYTE ได้เลือกใช้ Low RDS(on) MOSFETs มาออกแบบ, โดย MOSFETs แบบนี้ได้รับการออกแบบมาเป็นพิเศษด้วยความสามารถในการทำหน้าที่เป็นสวิตซ์ในการควบคุมการเปิด-ปิดกระแสไฟฟ้าสำหรับการชาร์จกำลังไฟที่มีประสิทธิภาพและเพียงพอต่อความต้องการของระบบพร้อมให้ความรวดเร็วสูงในการผลิตกระไฟออก ลดการสูญเสียพลังงานโดยเปล่าประโยชน์ สามารถทำงานที่ความถี่สูงๆ ได้ดีกว่า |
 |
MOSFET คืออะไร?
MOSFET เป็นสวิตซ์ที่อนุญาตให้กระแสไฟฟ้าไหลผ่านหรือไม่ไหลผ่านวงจรอีเล็คทรอนิคส์. |
|
| |
 |
| |
Temperature |
|
| |
|
Lower RDS(on) MOSFET |
16% Lower |
| |
Standard MOSFET |
|
|
|
| ในความเป็นจริงเมื่อเปรียบเทียบMOSFETs มาตรฐาน และ RDS(on) MOSFETs แล้วอุณหภูมิจะลดลงกว่า 16 เปอร์เซนต์ |
| |
| ความต้านทานต่ำกว่า = การบริโภคพลังงานต่ำกว่า = ความร้อนต่ำกว่า |
|
|
| |
| |
| |
Power Consumption |
Heat is a by-product
of power consumption |
|
|
| |
|
| |
|
|
|
Power Equation: P = I 2 x R
(P: กำลัง, I : กระแสไฟ, R: ความต้านทาน) |
|
|
|
| |
