GIGABYTE FM2 Motherboards

GIGABYTE 울트라 듀러블™, PC를 위한 최고의 선택


울트라 듀러블™5	울트라 듀러블™4 클래식

울트라 듀러블™-유사 이래 업계 최고 품질의 CPU 전원부 설계

유사 이래 최고 품질의 울트라 듀러블™ 메인보드에
GIGABYTE는 울트라 듀러블™5를 채용하여 또다시 메인보드의 품질과 내구성을 업그레이드했다. 울트라 듀러블™은 고전류 처리 능력을 강화하는 다양한 컴포넌트를 채택하여 CPU에 최고 품질의 전력을 제공함으로써 열처리, 고효율, 메인보드의 수명 연장 등 최고 성능에 대한 수요를 최대한 충족시켜줄 것이다.

IR3550 PowIRstage^®
업계에서 최고로 평가되고 수많은 제품상을 수상한 Power Stage칩
• 최고 60A의 고전류를 처리하며 시스템이 작동하는 동안 발열 온도를 낮게 유지줌
•완벽한 매칭: GIGABYTE의 울트라 듀러블™5 메인보드는 IR사의 디지털 PWM 콘트롤러칩과 IR PowIRstage^®칩을 사용하여 독특하면서 완벽한 전력 공급 시스템을 구축했다.
• 업계 최초로 최고 95%의 전력 효율 달성

최적의 CPU 전원부 설계

2x 구리 내장 PCB
는 전원부 페이즈 및 컴포넌트 사이에 충분한 전력을 제공하여 일반 부하가 높은 전력 수요를 제어하여 CPU 주변의 중요한 컴포넌트에 전원을 공급할 때 생기는 열을 크게 줄일 수 있다.

고성능 페라이트 코어 초크
최대 60A의 고전류를 안정적으로 공급한다.

*위의 컴포넌트의 자세한 내용은 제품 모델에 따라 다를 수 있음

CPU 전원부의 쿨링 장치를 안팎에 장착

GIGABYTE의 울트라 듀러블™5 메인보드는 IR3550 PowIRstage^® 칩을 빌트인하여 업계 가운데 최대 60A의 고전류를 처리하는 고성능을 제공하며 전력 소모가 적고 효율이 매우 뛰어나 전원부의 발열을 최소화하고 있다.

레이아웃과 패키징은 전원의 모든 경로를 구리 판박으로 연결함으로써 기존의 와이어 본딩으로써 생기는 강력한 저항으로 인한 전력 소모 및 초크가 일으키는 고주파 소음 그리고 과도한 AC 전류의 손실을 줄였다.

MOSFETs 사이의 전원을 구리 판박으로 연결하여 전력 소모를 크게 줄이고 열 전달을 돕는다.

IR사가 생산한 MOSFET 드라이버

상단의 MOSFET(Control FET)는 게이트 차지(gate charge)가 매우 낮다. 하단의 MOSFET(SyncFET)는 집적된 고성능 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)이다.

전류는 장치의 바닥에서 구리 클립을 통해 control FET (duty cycle On) 또는 Sync FET (Duty cycle Off)으로 전달하는 경로가 꽤 짧다. 이 부분이 60A의 전류를 처리할 수 있고 내구성이 큰 또다른 요인이다.

맞춤화된 구리 리드 드프레임이 실리콘에서 열을 빼앗아간다.

기존의 CPU 전원부

PWM 콘트롤러

MOSFET 드라이버

기존의 상하단 MOSFETs

초크

커패시터

CPU

CPU 전원부에 대한 Q&A

CPU 전원부란 무엇인가?
메인보드의 CPU 전원부는 다양한 컴포넌트(PWM 콘트롤러, MOSFET 드라이버, 상하단 MOSFET, 초크, 커패시터 및 관련 회로 등)을 포함하며 전력을 CPU에 공급하는 것을 책임지고 있다.

MOSFET는 무엇인가?
MOSFET는 CPU 전원부에서 가장 핵심적인 컴포넌트 중 하나이다. MOSFET는 전류가 CPU에 전달되는 것을 허용 또는 허용하지 않는 스위치이기 때문이다. 이러한 스위치 기능은 MOSFET 드라이버와 PWM 콘트롤러에 의해 제어된다. MOSFET는 전원부의 전체 설계 가운데 가장 값비싼 컴포넌트 중 하나이다.

Power Stage는 무엇인가?
Power Stage는 싱글칩이다. Power Stage는 MOSFET 드라이버, 1개의 상단 MOSFET와 2개(or 1개)의 하단 MOSFET를 포함한다. Power Stages는 최첨단 제조 공정을 채택하기 때문에 효율과 성능이 매우 뛰어나다.

기존의 MOSFET(또한 D-Pak MOSFET라고도 불림)란 무엇인가?
기존의 MOSFET는 비교적 오래된 MOSFET라 할 수 있다. 일반적으로 기존의 CPU 전원부에 사용되는 것으로 개별적인 MOSFET 드라이버, 상하단 MOSFET도 각각 개별적으로 사용된다(즉 멀티칩 MOSFET 설계임). 이러한 설계는 가격은 저렴하지만 효율성은 싱글칩 Power Stage보다 훨씬 낮다.

싱글 패키지 디자인

International Rectifier사는 세계 최고 수준의 패키지 기술을 사용하여 특허 신청중인 DirectFET^® 설계를 개발했고, 열처리(쿨링) 능력과 레이아웃이 다른 MCM 패키지보다 훨씬 우수한 PowIRstage^®제품을 제조하고 있다.

싱글 패키지*

vs.

멀티칩


	상단의 MOSFET

드라이버 IC

하단의 MOSFET

* 특허 신청 중

기타 MOSFET의 레이아웃은 상단 MOSFET, 하단 MOSFET, MOSFET 드라이버 IC 등 멀티칩이 병렬로 배치되어 메인보드의 물리적 공간을 차지할 뿐아니라 불필요한 전력 손실을 일으킨다.

상단의 MOSFET
(기존 MOSFET)

하단의 MOSFET
(기존 MOSFET)

드라이버 IC
( MOSFET 드라이버)

뛰어난 열처리, 고효율, 고성능

고효율 = 낮은 전력 소모 =발열 적음 = 사용 수명 연장

IR3550 PowIRstage^®칩은 다른 MOSFET보다 발열이 적다는 특성을 지니고 있기 때문에 오버클럭 성능을 한 차원 더 높이 끌어올릴 수 있다!

기존의 MOSFET 설계

Lower RDS(on) MOSFETs

울트라 듀러블™4 설계

IR3550 PowIRstage^®

울트라 듀러블™5 설계

* 테스트 결과는 참고용일 뿐임. 시스템에 따라 결과가 달라질 수 있음.
* 4페이즈 IR3550 PowIRstage^®+2x Copper PCB 및 4페이즈 D-PAK MOSFET 설계로, 실험실에서 히트 싱크(방열판)와 열처리 장치 없이 100A의 고전류를 10분간 처리할 때 얻은 값임.

IR3550 PowIRstage^® 칩은 다른 MOSFET 설계보다 발열이 적다는 특성을 지니고 있기 때문에 오버클럭 성능을 한 차원 더 높이 제고할 수 있다! 각종 전원부 컴포넌트는 각각 정상 작동할 수 있는 최고 온도가 있는데, 이러한 익스트림 온도에 도달했을 경우에 전압을 올리면 발열 현상만 일어나고 오버클럭은 실패한다. IR3550 PowIRstages^®칩은 고전압 환경에서도 기존의 설계보다 발열이 훨씬 적어서 오버클럭에 필요한 훨씬 높은 전압을 이겨낼 수 있기 때문에 잠재된 오버클럭 성능이 크게 향상되었다.

발열 감소 = 오버클럭 성능 강화

MOSFET의 오버클럭 안정성


과열	오버클럭에 필요한 전력 부족


	IR3550 PowIRstage^®	가장 좋음

	Lower RDS(on) MOSFET (WPAK, PowerPak MOSFET)	좋음

	기존 MOSFET (D-Pak MOSFET)	보통

고전류를 처리하는 고성능 컴포넌트
GIGABYTE의 울트라 듀러블5메인보드는 고성능 Power Stages 및 Ferrite Core Chokes 그리고 GIGABYTE의 독자적인 2x 구리 내장 PCB를 탑재하여 최대 60A의 전력을 안정적으로 공급할 수 있다.

60A의 고전류를 처리하는
Power Stages 칩

업계를 선도하는 60A의 고전류 처리, 매우 낮은 전력 소모, 뛰어난 전력 효율 및 열처리 기술

2X 구리 내장 PCB 설계

고품질 컴포넌트가 안팎에 포진

GIGABYTE 울트라 듀러블 메인보드에 탑재된 고성능 IR3550 PowIRstage칩과 2X 구리 PCB는 눈으로 직접 확인할 수 없지만이 컴포넌트가 정상 작동하면 전력 효율을 제고하여 전력 소모를 줄이고 시스템의 발열 온도를 낮춰 준다. 또한 오버클럭 성능을 제고하고 시스템의 수명을 연장시킨다. 이것이 GIGABYTE의 울트라 듀러블 메인보드가 드리는 품질에 대한 약속이다.

PCB (Printed Circuit Board;인쇄 회로 기판)
2x copper PCB = 회로기판에서의 구리 중량
30.48cmx 30.48cm(1square foot) PCB는 56.7g(2온스)

회로 내부의 구리층	두께
2 X구리	0.070mm (70 µm)
1 X구리	0.035mm (35 µm)

고성능 페라이트 코어 초크		솔리드 커패시터
고성능 페라이트 코어 초크
Power Stage		2온스 구리 PCB 내부층
시그널 레이어
전원 레이어

새로운 유리섬유
접지층
시그널 레이어

2X 구리 내장 PCB의 장점:

초저온

최고의 오버클럭 성능

최고 절전

2X Lower 임피던스

Lower EMI

우수한
ESD보호 성능

GIGABYTE의 독자적인 2x 구리 내장 PCB는 전원부 페이즈 및 컴포넌트 사이에 충분한 전력을 제공하여 일반 부하가 높은 전력 수요를 제어하여 CPU 주변의 중요한 컴포넌트에 전원을 공급할 때 생기는 열을 크게 줄일 수 있다. 또한 메인보드는 오버클럭을 실행할 때 증가된 필요 전력을 처리할 수 있느냐는 매우 중요한 숙제이다.

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	GIGABYTE 울트라 듀러블™4 클래식 GIGABYTE 울트라 듀러블™4 클래식 메인보드는 전문 기술을 통합하여 GIGABYTE 메인보드 사용자의 컴퓨터를 최대한 보호해 준다. 울트라 듀러블™4 클래식이 온보드되어 환경적 요인으로 인한 PC의 고장을 예방할 수 있다.

항습 성능

유리 섬유 PCB

새로운 유리 섬유 PCB 기술을 사용하여 습기가 PCB에 스며드는 것을 방지한다. 특히 유리 섬유 PCB 기술은 기존의 메인보드 PCB에 비해 PCB 유리섬유 두께가 얇고 효율성을 높여 습기가 스며드는 것을 막아준다. 습기가 메인보드 회로에 미치는 다양한 피해를 줄여준다.

새로운 설계

새로운 유리 섬유 PCB

기존 설계

기존의 유리 섬유 PCB

정전기 방지

High ESD Resistance ICs

GIGABYTE 울트라 듀러블™4 메인보드는 고품질 IC칩을 탑재하여 기존의 칩보다 뛰어난 정전기 방지 효과를 갖고 있다. GIGABYTE 울트라 듀러블™4 메인보드에 채용된 IC칩은 기존의 칩보다 3배 강화된 정전기 방지 기능을 적용하고 있다. 이러한 고품질 컴포넌트는 메인보드를 잘 보호하여 PC에서 자주 발생되는 정전으로부터 위험을 줄일 수 있다.

High ESD Resistance ICs

기존의 ESD Resistance ICs

항단전

Anti-Surge 칩 및 특허받은 듀얼 BIOS

갑자기 원인불명의 단전이 발생한다면 GIGABYTE 울트라 듀러블™4 클래식 메인보드는 단전으로 인한 치명적인 손상을 줄여줄 수 있다. GIGABYTE 울트라 듀러블™4 클래식 메인보드 시리즈는 모두 독자적인 DualBIOS™을 채용하여 PC의 BIOS를 최대한 보호해주며 정전으로 인한 BIOS의 손상 또는 업데이트 실패를 자동으로 복구해준다.

BIOS 복구

GIGABYTE 울트라 듀러블™4클래식 메인보드는 Anti-Surge 칩을 채용하여 PC 및 메인보드가 과전류와 쇼트로부터 보호해주어, PC가 과전류 또는 갑작스런 전압 불안으로 인한 손상을 막아준다!

	Anti-Surge IC	Without Anti-Surge IC
* 일부 메인보드 모델은 Anti-Surge 칩을 채용하지 않음

항온

솔리드 커패시터 및 Lower RDS(on) MOSFETs

GIGABYTE 울트라 듀어러블™4 메인보드는 엄선된 컴포넌트를 채용하여 PC가 고온 및 극단적인 운영환경으로부터 PC가 지나치게 발열되는 것을 방지해준다. GIGABYTE 울트라 듀어러블™4은 솔리드 커패시터를 채용하여 메인보드의 온도를 떨어뜨려주며 PC를 고온으로부터 보호해줄 수 있다. Lower RDS(on) MOSFETs 역시 PC의 작동 온도를 현저히 떨어뜨려 준다. 이러한 최고급 컴포넌트는 PC를 기존의 트랜지스터와 커패시터를 채용한 PC보다 훨씬 안정적이고 훨씬 내구적이며 PC온도를 낮게 유지시켜 준다.

커패시터 비교

솔리드 커패시터 설계

기존의 커패시터 설계

MOSFET 비교

	Lower RDS(on) MOSFETs 설계
	기존의 MOSFET 설계
* 일부 메인보드 모델은 Lower RDS(on) MOSFET 설계를 채용하지 않음

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