Потребителям Бизнесу
  1. Главная
  2. Потребителям
  3. SSD
  4. AORUS Gen4 5000E SSD 1TB

AORUS Gen4 5000E SSD 1TB

AG450E1TB-G
ОписаниеСпецификацииПоддержкаНовости & НаградыГалерея

Спецификации

  • Интерфейс
  • PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.4
  • Форм-фактор
  • M.2 2280
  • Емкость накопителя
  • 1 Tбайт (1024Гбайт)
  • Тип NAND
  • Технология 3D TLC NAND
  • Скорость последовательного чтения
  • не менее 5000 Мбайт/с
  • Скорость последовательной записи
  • до 4600 Мбайт/с
  • Габариты изделия
  • 80 x 22 x 2.3 мм
  • Наработка на отказ (MTBF)
  • 1,5 млн. час
  • Энергопотребление (активный режим)
  • Усредненное значение: Чтение: 4,2 Вт / Запись: 4,3 Вт
  • Энергопотребление (режим простоя) (ASPT on)
  • 20мВт
  • Температура (рабочая)
  • от 0°C до 70°C
  • Температура (хранение)
  • от -40°C до 85°C
  • Гарантия
  • 1. Органиченная 5-летняя или 600TBW.
    2. Ограниченная гарантия на 5 лет или 600TBW, в зависимости от того, какое событие наступит первым. (*Параметр TBW оценивается по стандарту рабочей нагрузки, регламентированной JEDEC.)
    *TBW (Total Bytes Written): суммарный объём информации, после записи которой ресурс работы ячеек памяти исчерпан и накопитель может выйти из строя.
    3. Когда значение параметра (SMART ID: 05) “Процент использования” NVME SSD накопителя для параметра SMART в приложении GIGABYTE SSD Toolbox достигнет величины 100, это свидетельствует об окончании гарантийного срока. Применительно к новому продукту указанный параметр будет отображать величину 0.
  • Примечания
  • * Тестирование системы: конфигурация может значительно отличаться, в зависимости от выбранного аппаратного обеспечения. Мы рекомендуем тестировать оборудование на базе современной актуальной платформы.
    * Производительность может варьироваться в зависимости от версии микрокода SSD-накопителя аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Быстродействие на операциях последовательного чтения данных измерялась средствами CrystalDiskMark и IOmeter 1.1.0.
    * Скоростные показатели получены при внутреннем тестировании. Реальная производительность может отличаться.
    * 1 Гбайт = 1 млрд. байт Реальная доступная емкость дискового пространства может отличаться.
Интерфейс
Форм-фактор
Емкость накопителя
Тип NAND
Скорость последовательного чтения
Скорость последовательной записи
Габариты изделия
Наработка на отказ (MTBF)
Энергопотребление (активный режим)
Энергопотребление (режим простоя) (ASPT on)
Температура (рабочая)
Температура (хранение)
Гарантия
Примечания
PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.4
M.2 2280
1 Tбайт (1024Гбайт)
Технология 3D TLC NAND
не менее 5000 Мбайт/с
до 4600 Мбайт/с
80 x 22 x 2.3 мм
1,5 млн. час
Усредненное значение: Чтение: 4,2 Вт / Запись: 4,3 Вт
20мВт
от 0°C до 70°C
от -40°C до 85°C
1. Органиченная 5-летняя или 600TBW.
2. Ограниченная гарантия на 5 лет или 600TBW, в зависимости от того, какое событие наступит первым. (*Параметр TBW оценивается по стандарту рабочей нагрузки, регламентированной JEDEC.)
*TBW (Total Bytes Written): суммарный объём информации, после записи которой ресурс работы ячеек памяти исчерпан и накопитель может выйти из строя.
3. Когда значение параметра (SMART ID: 05) “Процент использования” NVME SSD накопителя для параметра SMART в приложении GIGABYTE SSD Toolbox достигнет величины 100, это свидетельствует об окончании гарантийного срока. Применительно к новому продукту указанный параметр будет отображать величину 0.
* Тестирование системы: конфигурация может значительно отличаться, в зависимости от выбранного аппаратного обеспечения. Мы рекомендуем тестировать оборудование на базе современной актуальной платформы.
* Производительность может варьироваться в зависимости от версии микрокода SSD-накопителя аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Быстродействие на операциях последовательного чтения данных измерялась средствами CrystalDiskMark и IOmeter 1.1.0.
* Скоростные показатели получены при внутреннем тестировании. Реальная производительность может отличаться.
* 1 Гбайт = 1 млрд. байт Реальная доступная емкость дискового пространства может отличаться.
PCI-Express 4.0 x4, NVMe 1.4
M.2 2280
1000Гбайт
Технология 3D TLC NAND
не менее 5000 Мбайт/с
до 4600 Мбайт/с
80 x 22 x 2.3 мм
1,5 млн. час
Усредненное значение: Чтение: 4,2 Вт / Запись: 4,3 Вт
20мВт
от 0°C до 70°C
от -40°C до 85°C
1. Органиченная 5-летняя или 600TBW.
2. Ограниченная гарантия на 5 лет или 600TBW, в зависимости от того, какое событие наступит первым. (*Параметр TBW оценивается по стандарту рабочей нагрузки, регламентированной JEDEC.)
*TBW (Total Bytes Written): суммарный объём информации, после записи которой ресурс работы ячеек памяти исчерпан и накопитель может выйти из строя.
3. Когда значение параметра (SMART ID: 05) “Процент использования” NVME SSD накопителя для параметра SMART в приложении GIGABYTE SSD Toolbox достигнет величины 100, это свидетельствует об окончании гарантийного срока. Применительно к новому продукту указанный параметр будет отображать величину 0.
* Тестирование системы: конфигурация может значительно отличаться, в зависимости от выбранного аппаратного обеспечения. Мы рекомендуем тестировать оборудование на базе современной актуальной платформы.
* Производительность может варьироваться в зависимости от версии микрокода SSD-накопителя аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Быстродействие на операциях последовательного чтения данных измерялась средствами CrystalDiskMark и IOmeter 1.1.0.
* Скоростные показатели получены при внутреннем тестировании. Реальная производительность может отличаться.
* 1 Гбайт = 1 млрд. байт Реальная доступная емкость дискового пространства может отличаться.
* The entire materials provided herein are for reference only. GIGABYTE reserves the right to modify or revise the content at anytime without prior notice.
* Advertised performance is based on maximum theoretical interface values from respective Chipset vendors or organization who defined the interface specification. Actual performance may vary by system configuration.
* All trademarks and logos are the properties of their respective holders.
* Due to standard PC architecture, a certain amount of memory is reserved for system usage and therefore the actual memory size is less than the stated amount.

Поддержка

Выберите модель